參數(shù)資料
型號： M95160-DL3T
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock
中文描述： 64/32/16/8千位串行SPI總線的EEPROM高速時鐘
文件頁數(shù)： 25/40頁
文件大?。?/td> 648K
代理商： M95160-DL3T
25/40
M95160, M95080
Table 17. DC Characteristics (M95xxx-W, Device Grade 3)
Note: 1. Previous product: identified by Process Identification letter L.
2. Present product: identified by Process Identification letter W or G.
Table 18. DC Characteristics (M95xxx-R)
Note: 1. This product is under development. For more information, please contact your nearest ST sales office.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
S = V
CC
, V
OUT
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
CC
Supply Current
C = 0.1V
CC
/0.9V
CC
at 2 MHz,
V
CC
= 2.5 V, Q = open, Previous Product
1
5
mA
C = 0.1V
CC
/0.9V
CC
at 5 MHz,
V
CC
= 2.5 V, Q = open, Present Product
2
2
mA
I
CC1
Supply Current
(Standby Power mode)
S = V
CC
, V
CC
= 2.5 V, V
IN
= V
SS
or
V
CC
2
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.45
0.3 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.5 mA, V
CC
= 2.5 V
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –0.4 mA, V
CC
= 2.5 V
0.8 V
CC
V
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
1
Max.
1
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
S = V
CC
, V
OUT
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
CC
Supply Current
C = 0.1V
CC
/0.9V
CC
at 2 MHz,
V
CC
= 1.8 V, Q = open
1
mA
I
CC1
Supply Current
(Standby Power mode)
S = V
CC
, V
IN
= V
SS
or
V
CC
, V
CC
= 1.8 V
0.5
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.45
0.3 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 0.15 mA, V
CC
= 1.8 V
0.3
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –0.1 mA, V
CC
= 1.8 V
0.8 V
CC
V
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PDF描述
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