- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄383307 > MA9264 (Dynex Semiconductor Ltd.) Radiation Hard 8192x8 Bit Static RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA9264 |
| 廠(chǎng)商： | Dynex Semiconductor Ltd. |
| 英文描述： | Radiation Hard 8192x8 Bit Static RAM |
| 中文描述： | 輻射硬8192x8位靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | MA9264 |
第1頁(yè)第2頁(yè)當(dāng)前第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)
MA9264
3/15
CHARACTERISTICS AND RATINGS
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Units
V
CC
Supply Voltage
-0.5
7.0
V
V
I
Input Voltage
-0.3
V
DD
+0.3
V
T
A
Operating Temperature
-55
125
°
C
T
S
Storage Temperature
-65
150
°
C
Figure 3: Absolute Maximum Ratings
Stresses above those listed may cause permanent
damage to the device. This is a stress rating only and
functlonal operation of the device at these condltions,
or at any other condition above those indicated in the
operations section of this specification, is not Implied
Exposure to absolute maxlmum rating conditions for
extended perlods may affect device reliability.
Notes for Tables 4 and 5:
Characteristics apply to pre radiation at T
A
= -55
°
C to +125
°
C with V
DD
= 5V
±
10% and to post 100k Rad(Si) total dose
radiation at T
A
= 25
°
C with V
DD
= 5V
±
10% (characteristics at higher radiation levels available on request). GROUP A
SUBGROUPS 1, 2, 3.
Symbol
Parameter
Conditions
(Option)
Min.
Typ.
Max.
Units
V
DD
Supply voltage
-
4.5
5.0
5.5
V
V
lH
Logical ‘1’ Input Voltage
-
(TTL)
V
DD
/2
0.8 V
DD
-
-
V
DD
V
DD
V
V
(CMOS)
V
lL
Logical ‘0’ Input Voltage
-
(TTL)
V
SS
V
SS
-
-
0.8
V
V
(CMOS)
0.2 V
DD
V
OH1
Logical ‘1’ Output Voltage
I
OH1
= -2mA
2.4
-
-
V
V
OH2
Logical ‘1’ Output Voltage
I
OH2
= -1mA
V
DD
-0.5
-
-
V
V
OL
Logical ‘0’ Output Voltage
I
OL
= 4mA
-
-
0.4
V
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
DD
or V
SS
All inputs
-
-
±
10
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
Chip disabled, V
OUT
= V
DD
or V
SS
-
-
±
10
μ
A
I
SB1
Selected Static Current (CMOS)
All inputs = V
DD
-0.2V
except
CS
= V
SS
+0.2V
-
0.1
10
mA
I
DD
Dynamic Operating Current
(CMOS)
f
RC
= 1MHz, all inputs
switching, V
IH
= V
DD
-0.2V
-
6
18
mA
I
SB2
Standby Supply Current
CS
= V
DD
-0.2V
CE = V
SS
+0.2V
-
0.1
10
mA
Figure 4: Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
(Option)
Min.
Typ.
Max.
Units
V
DR
V
CC
for Data Retention
CS
= V
DR,
CE = V
SS
2.0
-
-
V
I
DDR
Data Retention Current
CS
= V
DR
, V
DR
= 2.0V
CE = V
SS
-
0.05
4
mA
Figure 5: Data Retention Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAC15S | Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors |
| MAC15SDG | Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors |
| MAC15SMG | Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors |
| MAC15SNG | Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors |
| MAC8S | Sensitive Gate Triacs Silicon Bidirectional Thyristors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA930.W.A.LBICGJ.005 | 功能描述:MODULE ANT GPS LTE SMA MALE 制造商:taoglas limited 系列:Guardian 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 頻率組:寬帶 頻率（中心/帶）:829MHz，1.575GHz，1.94GHz，2.59GHz，3.45GHz 頻率范圍:698MHz ~ 960MHz，1.559GHz ~1.607GHz，1.71GHz ~ 2.17GHz，2.49GHz ~ 2.69GHz，3.3GHz ~ 3.6GHz 天線(xiàn)類(lèi)型:模塊 頻帶數(shù):5 VSWR:2 回波損耗:-10dB 增益:7dBi 特性:LNA，濾波器 端接:電纜（1M） - SMA 公頭 侵入防護(hù):IP67 安裝類(lèi)型:膠合劑 高度（最大值）:0.787"（20.00mm） 應(yīng)用:Beidou，GLONASS，GPS，GNSS，GSM，LTE，UMTS，Wi-Fi 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| MA931.A.LBICGH.001 | 功能描述:MODULE ANT GPS LTE WIFI SMA MALE 制造商:taoglas limited 系列:Guardian 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 頻率組:寬帶 頻率（中心/帶）:829MHz，1.575GHz，1.94GHz，2.4GHz，2.59GHz，3.45GHz，5.8GHz 頻率范圍:698MHz ~ 960MHz，1.575GHz，1.71GHz ~ 2.17GHz，2.4GHz ~ 2.69GHz，3.3GHz ~ 3.6GHz，5.8GHz 天線(xiàn)類(lèi)型:模塊 頻帶數(shù):7 VSWR:3 回波損耗:-10dB 增益:28dBi 特性:LNA，濾波器 端接:電纜（1M） - SMA 公頭 侵入防護(hù):IP67 安裝類(lèi)型:膠合劑 高度（最大值）:0.787"（20.00mm） 應(yīng)用:Beidou，GLONASS，GPS，GNSS，GSM，LTE，UMTS，Wi-Fi 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| MA9420010 | 制造商:Deltron 功能描述:HOLE CUTTER 20MM DIA H |
| MA9420020 | 制造商:Deltron 功能描述:HOLE CUTTER 22.5MM DIA H |
| MA9420040 | 制造商:Deltron 功能描述:HOLE CUTTER 27.5MM DIA H |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。