參數(shù)資料
型號(hào): MASMBG28CATR
廠商: MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類: TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述: 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
封裝: PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù): 4/4頁(yè)
文件大小: 182K
代理商: MASMBG28CATR
SURFACE MOUNT 600 Watt
Transient Voltage Suppressor
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ5.0 thru SMBJ170A, CA, e3
and SMBG5.0 thru SMBG170A, CA, e3
SMB5.0–
170AC,
e3
GRAPHS
50
30
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
P
PP
Peak
Pulse
Power
kW
TC = 25
oC
0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
1000
10,000
Test waveform parameters: tr=10
μs, tw=1000 μs
tw – Pulse Width -
μs
FIGURE 2
FIGURE 1
Pulse Waveform for
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Exponential Surge
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
C
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-20-2007 REV H
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
SMBJ
SMBG
FIGURE 3 -
Derating Curve
FIGURE 4
Typical Capacitance vs Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MASMBG33CTR 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBG33TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBG36ATR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBG36TR 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
MASMBG36 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MASMBG2K3.0 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購(gòu)買(mǎi)時(shí)間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):3V 電壓 - 擊穿(最小值):4.3V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:5.4V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:2000W(2kW) 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA,SMB 鷗翼型 供應(yīng)商器件封裝:SMBG(DO-215AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MASMBG2K3.0E3 功能描述:TVS DIODE 3VWM 5.4VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購(gòu)買(mǎi)時(shí)間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):3V 電壓 - 擊穿(最小值):4.3V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:5.4V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:2000W(2kW) 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA,SMB 鷗翼型 供應(yīng)商器件封裝:SMBG(DO-215AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MASMBG2K3.3 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):上次購(gòu)買(mǎi)時(shí)間 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):3.3V 電壓 - 擊穿(最小值):4.6V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:5.8V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):10A(8/20μs) 功率 - 峰值脈沖:2000W(2kW) 電源線路保護(hù):無(wú) 應(yīng)用:通用 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-215AA,SMB 鷗翼型 供應(yīng)商器件封裝:SMBG(DO-215AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MASMBG2K3.3E3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 3.3VWM 5.8VC DO215AA
MASMBG2K4.0 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 2KW UNIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA