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參數(shù)資料
| 型號： | MASMBJ90TR |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 182K |
| 代理商： | MASMBJ90TR |
SURFACE MOUNT 600 Watt
Transient Voltage Suppressor
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ5.0 thru SMBJ170A, CA, e3
and SMBG5.0 thru SMBG170A, CA, e3
SMB5.0–
170AC,
e3
GRAPHS
50
30
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
P
PP
–
Peak
Pulse
Power
–
kW
TC = 25
oC
0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
1000
10,000
Test waveform parameters: tr=10
μs, tw=1000 μs
tw – Pulse Width -
μs
FIGURE 2
FIGURE 1
Pulse Waveform for
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Exponential Surge
PAD LAYOUT
INCHES
mm
A
.260
6.60
B
.085
2.16
C
.110
2.79
INCHES
mm
A
0.320
8.13
B
0.085
2.16
C
0.110
2.79
C
–
Ca
pa
cita
nce
-
Pi
cofarads
Microsemi
Scottsdale Division
Page 4
Copyright
2007
6-20-2007 REV H
TL Lead Temperature
oC
V(BR) - Breakdown Voltage – Volts
Peak
Pulse
Power
(
P
PP
)or
conti
nuous
Power
in
P
ercent
of
25
o C
Rating
SMBJ
SMBG
FIGURE 3 -
Derating Curve
FIGURE 4
Typical Capacitance vs Breakdown Voltage
PACKAGE DIMENSIONS
A
B
C
D
E
F
K
L
MIN
.077
.160
.130
.205
.077
.235
.015
.030
MAX
.083
.180
.155
.220
.104
.255
.030
.060
DIMENSIONS IN MILLIMETERS
MIN
1.96
4.06
3.30
5.21
1.95
5.97
.381
.760
MAX
2.10
4.57
3.94
5.59
2.65
6.48
.762
1.520
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MASMBG100CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| MASMBG10CATRE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| MASMBG10E3 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| MASMBG110CATRE3 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| MASMBG110CE3TR | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MASMBJSAC12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA |
| MASMBJSAC12E3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 12VWM 19VC DO214AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA |
| MASMBJSAC15 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA |
| MASMBJSAC15E3 | 功能描述:TVS DIODE 15VWM 23.6VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:15V 電壓 - 擊穿（最小值）:16.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:23.6V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:20A 功率 - 峰值脈沖:500W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:30pF @ 1MHz 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMBJ（DO-214AA） 標準包裝:1 |
| MASMBJSAC18 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 500W UNIDIRECT DO-214AA |
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