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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB81117422A-67 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2×2M ×4 Bit Synchronous Dynamic RAM(CMOS 2×2M ×4 位同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 2 × 200萬× 4位同步動(dòng)態(tài)RAM（2 × 200萬的CMOS × 4位同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 38/44頁 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | MB81117422A-67 |
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MB81117422A-125/-100/-84/-67
TIMING DIAGRAM - 10 : WRITE INTERUPTED BY PRECHARGE (Example @ CL = 3)
Note:
The Precharge command (PRE) should only be issued after the t
RWL
of final data input, is satisfied.
CLK
Command
DQ
Precharge
Active
Data In
Masked
by PRE
t
RWL
(min)
t
RP
(min)
Last
Data In
TIMING DIAGRAM - 11 : READ INTERRUPTED BY WRITE (Example @ CL = 3, BL = 4)
Notes:
1. First DQM makes high-impedance state High-Z between last output and first input data.
2. Second DQM makes internal output data mask to avoid bus contention.
3. Third DQM in illustrated above also makes internal output data mask. If burst read ends (final data output)
at or after the second clock of burst write, this third DQM is required to avoid internal bus contention.
CLK
Command
DQM
DQ
Data Out
Masked
Data In
Data In
Note 1
Note 2
Note 3
Write
I
DWD
(same clock)
Read
I
OWD
(2 clocks)
I
DQZ
(2 clocks)
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PDF描述 |
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