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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117800A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2 M ×8BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 2 M ×8 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 2米× 8位快速頁面模式的DRAM的CMOS（2米× 8位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 12/25頁 |
| 文件大小： | 474K |
| 代理商： | MB8117800A-70 |
12
MB8117800A-60/MB8117800A-70
A
0
to A
10
CAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
OH
V
OL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
DQ
(Input)
“H” or “L”
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is an “H” or “L” signal. A write cycle can be imple-
mented in either of three ways - early write, delayed write or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters t
RWL
, t
CWL,
and t
RAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pin is latched with the falling edge of
CAS and written into memory.
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CRP
t
CSH
t
RCD
t
RSH
t
CAS
t
AR
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DHR
t
DS
t
DH
ROW ADD
COLUMN ADD
HIGH-Z
VALID DATA IN
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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