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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB85344C-60 |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| 中文描述： | 的CMOS 200萬(wàn)× 32位的超頁(yè)模式內(nèi)存的CMOS（200萬(wàn)× 32超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 474K |
| 代理商： | MB85344C-60 |
7
MB85344C-60/MB85344C-70
I
AC CHARACTERISTICS
(Continued)
(At recommended operating conditions unless otherwise noted.) Notes 1, 2, 3
No.
Parameter
Symbol
MB85344C-60
Min.
10
10
MB85344C-70
Min.
10
10
Unit
Notes
Max.
—
—
Max.
—
—
31
32
Write Command Hold Time
WE Pulse Width
Write Command to RAS Lead
Time
Write Command to CAS Lead
Time
DIN Setup Time
DIN Hold Time
Data Hold Time from RAS
RAS Precharge Time to CAS
Active Time (Refresh Cycles)
CAS Setup Time (C-B-R Refresh)
CAS Hold Time (C-B-R Refresh)
WE Setup Time from RAS
WE Hold Time from RAS
DIN to CAS Delay Time
WE to Data In Delay Time
RAS to Data In Delay Time
CAS to Data in Delay Time
RAS to Column Address Hold
Time
Write Command Hold time
Referenced to RAS
Data Input Hold Time
Referenced to RAS
Hyper Page Mode RAS Pulse
Width
Hyper Page Mode Read/Write
Cycle Time
Access Time from CAS
Precharge
Hyper Page Mode CAS
Precharge Time
Hyper Page Mode RAS Hold
Time from CAS Precharge
RAS Pulse Width for Self Refresh
RAS Precharge Time for Self
Refresh
CAS Hold time for Self refresh
t
WCH
t
WP
ns
ns
33
t
RWL
15
—
18
—
ns
34
t
CWL
10
—
10
—
ns
35
36
37
t
DS
t
DH
t
DHR
0
10
50
—
—
—
0
10
55
—
—
—
ns
ns
ns
38
t
RPC
5
—
5
—
ns
39
40
41
42
43
44
45
46
t
CSR
t
CHR
t
WSR
t
WHR
t
DZC
t
WED
t
RDD
t
CDD
0
10
0
10
0
15
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
0
10
0
10
0
15
15
15
—
—
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
17
17
47
t
AR
26
—
26
—
ns
48
t
WCR
24
—
24
—
ns
49
t
DHR
24
—
24
—
ns
50
t
RASP
—
200000
—
200000
ns
51
t
HPC
25
—
30
—
ns
52
t
CPA
—
35
—
40
ns
7, 14
53
t
CP
10
—
10
—
ns
54
t
RHCP
35
—
40
—
ns
55
t
RASS
100
—
100
—
ns
16
56
t
RPS
104
—
119
—
ns
16
57
t
CHS
–50
—
–50
—
ns
16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB85344C-70 | CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM模塊) |
| MB85391A-60 | CMOS 4M×32Bit Fast Page Mode DRAM Module S(CMOS 4M×32位 快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB85391A-70 | CMOS 4M×32Bit Fast Page Mode DRAM Module S(CMOS 4M×32位 快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB85392A-60 | CMOS 8M×32Bit Fast Page Mode DRAM Module(CMOS 8M×32位 快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| MB85396A-60 | CMOS 4M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×36位 同步動(dòng)態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類(lèi)型:非易失 存儲(chǔ)器格式:RAM 技術(shù):ReRAM（電阻式 RAM） 存儲(chǔ)容量:4Mb （512K x 8） 時(shí)鐘頻率:5MHz 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè):17ms 存儲(chǔ)器接口:SPI 電壓 - 電源:1.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| MB85R1001 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_08 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8) |
| MB85R1001_09 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8) |
| MB85R1001A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8) |
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