參數(shù)資料
型號: MB85344C-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 2M×32 BIT Hyper Page Mode DRAM Module(CMOS 2M×32超級頁面存取模式動態(tài)RAM模塊)
中文描述: 的CMOS 200萬× 32位的超頁模式內(nèi)存的CMOS(200萬× 32超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存模塊)
文件頁數(shù): 5/11頁
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代理商: MB85344C-70
5
MB85344C-60/MB85344C-70
I
CAPACITANCE
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance, A0 to A9
C
IN1
88
pF
Input Capacitance, RAS0 and RAS3
C
IN2
34
pF
Input Capacitance, CAS0 to CAS3
C
IN3
30
pF
Input Capacitance, WE
C
IN4
85
pF
I/O Capacitance, (DQ0-DQ31)
C
DQ
15
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB85391A-60 CMOS 4M×32Bit Fast Page Mode DRAM Module S(CMOS 4M×32位 快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB85391A-70 CMOS 4M×32Bit Fast Page Mode DRAM Module S(CMOS 4M×32位 快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
MB85392A-60 CMOS 8M×32Bit Fast Page Mode DRAM Module(CMOS 8M×32位 快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
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MB85396A-70 CMOS 4M×36Bit Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4M×36位 同步動態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MB85AS4MTPF-G-BCERE1 功能描述:IC RERAM 4MBIT 5MHZ 8SOP 制造商:fujitsu electronics america, inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:RAM 技術(shù):ReRAM(電阻式 RAM) 存儲容量:4Mb (512K x 8) 時鐘頻率:5MHz 寫周期時間 - 字,頁:17ms 存儲器接口:SPI 電壓 - 電源:1.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.209",5.30mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MB85R1001 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8)
MB85R1001_08 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:1 M Bit (128 K 】 8)
MB85R1001_09 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K × 8)
MB85R1001A 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Memory FRAM CMOS 1 M Bit (128 K x 8)