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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29DL321BE80PBT |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 80 ns, PBGA63 |
| 封裝： | PLASTIC, FBGA-63 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/80頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1588K |
| 代理商： | MBM29DL321BE80PBT |
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MBM29DL32XTE/BE
-80/90/12
52
Write/Erase/Program Operations
(Continued)
Parameter symbols
Description
80
90
12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
80
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
ASO
Address Setup Time to OE Low During
Toggle Bit Polling
Min.
12
15
15
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
50
ns
—
t
AHT
Address Hold Time from CE or OE High
During Toggle Bit Polling
Min.
0
0
0
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
30
35
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
—
t
CEPH
CE High During Toggle Bit Polling
Min.
20
20
20
ns
—
t
OEPH
OE High During Toggle Bit Polling
Min.
20
20
20
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
35
35
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
35
35
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
25
30
30
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
25
30
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
8
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
1
s
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
50
μs
—
t
VIDR
Rise Time to V
ID
(Note 2)
Min.
500
500
500
ns
—
t
VACCR
Rise Time to V
ID
(Note 2)
Min.
500
500
500
ns
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
100
μs
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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