- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377942 > MBM29F016A-12 (Fujitsu Limited) 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F016A-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 元件分類： | 基準(zhǔn)電壓源/電流源 |
| 英文描述： | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-12 |
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40
MBM29F016A
-70/-90/-12
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP(I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
8
sec
Excludes 00H programming
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
150
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
16.8
40
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-12PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTR | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F016A-90PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-12PFTN-X# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F016A-12PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-70 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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