- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377942 > MBM29F016A-70PFTN (FUJITSU LTD) 16M (2M X 8) BIT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F016A-70PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 36/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 458K |
| 代理商： | MBM29F016A-70PFTN |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
36
MBM29F016A
-70/-90/-12
Figure 18 Data Polling Algorithm
Note:
DQ
7
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
7
may change simultaneously with DQ
5
.
VA = Address for programming
= Any of the sector addresses
within the sector being erased
during sector erase or multiple
erases operation.
= Any of the sector group
addresses within the sector not
being protected during sector
erase or multiple sector erases
operation.
Fail
DQ
7
= Data
No
No
DQ
7
= Data
DQ
5
= 1
Pass
Yes
Yes
No
Start
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Yes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70PFTR | 1.65A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F016A-90PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F016A-70 | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F016A-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F016A-90PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。