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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F017A-70PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M X 8) BIT |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 5/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | MBM29F017A-70PFTN |
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5
MBM29F017A
-70/-90/-12
I
PRODUCT LINE UP
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29F017A
Ordering Part No.
V
CC
= 5.0 V ±5%
-70
—
—
V
CC
= 5.0 V ±10%
—
-90
-12
Max. Address Access Time (ns)
70
90
120
Max. CE Access Time (ns)
70
90
120
Max. OE Access Time (ns)
40
40
50
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
20
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
7
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
Low V
CC
Detector
Timer for
Program/Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F017A-70PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PFTN | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F017A-90PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PNS | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-70PNS | 16M (2M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F017A-70PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-70PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-90PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
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