- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377943 > MBM29F040C-55PFTN (FUJITSU LTD) Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F040C-55PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85 |
| 中文描述： | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 55 ns, PDSO32 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-32 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 424K |
| 代理商： | MBM29F040C-55PFTN |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)當(dāng)前第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)
23
MBM29F040C
-55/-70/-90
Write/Erase/Program Operations
Notes:
1.This does not include the preprogramming time.
2.This timing is only for Sector Protect operations.
Parameter Symbols
Description
MBM29F040C
Unit
JEDEC
Standard
-55
-70
-90
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
55
70
90
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
40
45
45
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
25
30
45
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
30
35
45
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
30
35
45
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
20
20
20
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
8
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
1
sec
Max.
8
8
8
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
50
μs
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Notes 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
100
μs
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
EOE
Delay Time from Embedded Output Enable
Max.
30
30
35
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F040C-55PFTR | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85 |
| MBM29F040C-70 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85 |
| MBM29F040C-70PD | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85 |
| MBM29F040C-70PFTN | Single-Channel Current-Limited Power Distribution Switch 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F040C-70PFTR | Single-Channel Current-Limited Power Distribution Switch 5-SOT-23 -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040C-55PFTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-70 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-70PD | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C70PDER | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F040C70PDSFLE1 | 制造商:Spansion 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。