參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F200BC-90PF
廠商： FUJITSU LTD
元件分類： DRAM
英文描述： Replaced by TPS2042B : 0.7A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85
中文描述： 128K X 16 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDSO44
封裝： PLASTIC, SOP-44
文件頁數(shù)： 30/48頁
文件大?。?/td> 508K
代理商： MBM29F200BC-90PF
30
MBM29F200TC
-55/-70/-90
/MBM29F200BC
-55/-70/-90
Notes:
1. PA is address of the memory location to be programmed
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode.
Figure 6 Alternate WE Controlled Program Operation Timings
t
GHWL
t
WP
t
DS
t
WHWH1
t
WC
t
AH
CE
OE
t
RC
Addresses
Data
t
AS
t
OE
t
WPH
t
CS
t
DH
DQ
7
PD
A0H
D
OUT
t
CE
WE
555H
PA
PA
t
OH
Data Polling
3rd Bus Cycle
t
CH
D
OUT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F200BC-90PFTN Replaced by TPS2042B : 0.7A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85
MBM29F200BC-90PFTR Replaced by TPS2042B : 0.7A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85
MBM29F200TC Replaced by TPS2042B : 0.7A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85
MBM29F200TC-55 Dual, Current-Limited, Power-Distribution Switches 8-SOIC -40 to 85
MBM29F200TC-55PF Dual, Current-Limited, Power-Distribution Switches 8-SOIC -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MBM29F200BC-90PFTR 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200TC 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
MBM29F200TC-55 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT
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