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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F400BC-70PFTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | Replaced by TPS2043B : 0.7A, 2.7-5.5V Triple (2In/3Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 16-SOIC 0 to 85 |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 542K |
| 代理商： | MBM29F400BC-70PFTN |
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25
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note:
1. Test Conditions:
Output Load: 1 TTL gate and 30 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test Setup
-55
(Note1)
-70
(Note2)
-90
(Note2)
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
Min.
55
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
55
70
90
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
55
70
90
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
Max.
30
30
35
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
Max.
15
20
20
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
Max.
15
20
20
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, Whichever Occurs First
—
Min.
0
0
0
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
Max.
20
20
20
μ
s
—
t
ELFL
t
ELFH
CE or BYTE Switching Low or High
—
Max.
5
5
5
ns
Figure 4 Test Conditions
C
L
5.0 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Notes:
1. C
L
= 30 pF including jig capacitance
2. C
L
= 100 pF including jig capacitance
Note:
2. Test Conditions:
Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.45 V to 2.4 V
Timing measurement reference level
Input: 0.8 V and 2.0 V
Output: 0.8 V and 2.0 V
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PDF描述 |
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