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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV002TC-70PTN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M (256K x 8) BIT |
| 中文描述： | 256K X 8 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO40 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP1-40 |
| 文件頁數(shù)： | 29/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 436K |
| 代理商： | MBM29LV002TC-70PTN |
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29
MBM29LV002TC
-70/-90/-12
/MBM29LV002BC
-70/-90/-12
Write/Erase/Program Operations
(Continued)
Parameter Symbols
Description
MBM29LV002TC/BC
Unit
JEDEC
Standard
-70
-90
-12
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
35
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output
Enable Hold
Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
25
25
30
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
25
25
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
8
μs
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
1
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
50
μs
—
t
VIDR
Rise Time to V
ID
(Note 2)
Min.
500
500
500
ns
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
100
μs
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μs
—
t
RB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
0
0
ns
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
—
t
RH
RESET Hold Time Before Read
Min.
200
200
200
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV002TC-70PTR | 2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-90 | 2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002B | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002T | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV002TC-70PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-90PNS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-90PTN | 制造商:Fuji Electric 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 40 Pin, Plastic, TSSOP |
| MBM29LV002TC-90PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
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