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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV002TC-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 2M (256K x 8) BIT |
| 中文描述： | 200萬（256K × 8）位 |
| 文件頁數(shù)： | 42/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 436K |
| 代理商： | MBM29LV002TC-90 |
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MBM29LV002TC
-70/-90/-12
/MBM29LV002BC
-70/-90/-12
42
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
555H/10H
2AAH/55H
555H/AAH
2AAH/55H
555H/AAH
555H/80H
2AAH/55H
Additional sector
erase commands
are optional.
Write Erase Command
Sequence
(See below)
Data Polling or Toggle Bit
Successfully Completed
Chip Erase Command Sequence
(Address/Command):
Individual Sector/Multiple Sector
Erase Command Sequence
(Address/Command):
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Sector Address/30H
Erasure Completed
Start
Figure 18 Embedded Erase
TM
Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV002B | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002T | CMOS 2M (256K ×8) Flash Memory(CMOS 2M(256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV003T-12 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002B-10 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV002B-12 | 2M (256K ×8) Bit Flash Memory(2M (256K ×8)位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV002TC-90PNS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV002TC-90PTN | 制造商:Fuji Electric 功能描述:NOR Flash, 256K x 8, 40 Pin, Plastic, TSSOP |
| MBM29LV002TC-90PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K x 8) BIT |
| MBM29LV004BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
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