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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV004TC-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K X 8) BIT |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8）位 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 49/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 442K |
| 代理商： | MBM29LV004TC-90 |
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49
MBM29LV004TC
-70/-90/-12
/MBM29LV004BC
-70/-90/-12
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP(I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
SON PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
300
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
8.4
12.5
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
10
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
11
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9
11
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV004TC-90PTN | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PTR | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004B | CMOS 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV004T | CMOS 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV004 | CMOS 4M SON Packages Flash Memory(CMOS 4M小外形封裝閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV004TC-90PNS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV004TC-90PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29LV008BA | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008BA-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8) BIT |
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