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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV160B-90PN |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO46 |
| 封裝： | PLASTIC, SON-46 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 53/60頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 767K |
| 代理商： | MBM29LV160B-90PN |
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53
MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP (I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
SON PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
FBGA PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Byte Programming Time
—
8
300
μs
Excludes system-level
overhead
Word Programming Time
—
16
360
Chip Programming Time
—
16.8
50
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycles
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
10
13
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
10
13
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
10
13
pF
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