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MBM29LV160TE/BE
-70/90/12
32
(Continued)
Notes: 1. This does not include the preprogramming time.
2. This timing is for Sector Protection operation.
Parameter Symbols
Description
70
90
12
Unit
JEDEC
Standard
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
500
ns
—
t
RH
RESET High Level Period Before Read
Min.
200
200
200
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
Max.
90
90
90
ns
—
t
EOE
Delay Time from Embedded Output Enable
Max.
70
90
120
ns
—
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output HIGH-Z
Max.
30
35
50
ns
—
t
FHQV
BYTE Switching High to Output Active
Min.
30
35
50
ns
—
t
TOW
Erase Time-out Time
Min.
50
50
50
μs
—
t
SPD
Erase Suspend Transition Time
Max.
20
20
20
μs
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV160BE90PCV | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160BE70PCV | KPT 23C 22#20 1#16 SKT PLUG |
| MBM29LV160TE70PCV | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160BE90PBT | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160BE90TN | 16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV160TE90TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8/1M X 16) BIT |
| MBM29LV160TM90 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM |
| MBM29LV160TM90PBT | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM |
| MBM29LV160TM90TN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16 M (2M X 8/1M X 16) BIT MirrorFlashTM |
| MBM29LV200BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:2M (256K X 8/128K X 16) BIT |
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