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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV400TC-12PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 53/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | MBM29LV400TC-12PFTR |
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53
MBM29LV400TC
-70/-90/-12
/MBM29LV400BC
-70/-90/-12
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP(I) PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
SOP PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
I
FBGA PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Word Programming Time
—
16
360
μ
s
Excludes system-level
overhead
Byte Programming Time
—
8
300
μ
s
Chip Programming Time
—
4.2
12.5
sec
Excludes system-level
overhead
Program/Erase Cycle
100,000
—
—
cycles
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9.5
12.5
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9.5
12.5
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9.5
12.5
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400TC-70 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-70PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-70PF | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-70PFTN | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400TC-55 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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