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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV651UE12TR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M (4M x 16) BIT |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 34/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 625K |
| 代理商： | MBM29LV651UE12TR |
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MBM29LV650UE/651UE-
90/12
34
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25°C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comments
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
10
s
Excludes programming time
prior to erasure
Programming Time
—
16
360
μs
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
—
—
200
s
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
cycle
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
8
10
pF
C
IN3
ACC Pin Capacitance
V
IN
= 0
15
20
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV651UE90TN | 64M (4M x 16) BIT |
| MBM29LV651UE90TR | 64M (4M x 16) BIT |
| MBM29LV652UE | 64M (4M X 16) BIT |
| MBM29LV652UE-12 | 64M (4M X 16) BIT |
| MBM29LV652UE-90 | 64M (4M X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV651UE-90 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (4M x 16) BIT |
| MBM29LV651UE90TN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (4M x 16) BIT |
| MBM29LV651UE90TR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (4M x 16) BIT |
| MBM29LV652UE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (4M X 16) BIT |
| MBM29LV652UE-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:64M (4M X 16) BIT |
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