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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV800TA-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| 中文描述： | 800萬（100萬X 8/512K × 16）位 |
| 文件頁數(shù)： | 5/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 608K |
| 代理商： | MBM29LV800TA-90 |
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5
MBM29LV800TA
-70/-90/-12
/MBM29LV800BA
-70/-90/-12
I
PRODUCT LINE UP
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29LV800TA/MBM29LV800BA
Ordering Part No.
V
CC
= 3.3 V
+0.3 V
–0.3 V
-70
—
—
V
CC
= 3.0 V
+0.6 V
–0.3 V
—
-90
-12
Max. Address Access Time (ns)
70
90
120
Max. CE Access Time (ns)
70
90
120
Max. OE Access Time (ns)
30
35
50
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
18
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
15
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Low V
CC
Detector
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
Timer for
Program/Erase
A
-1
BYTE
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV800B | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29LV800T | 8M (1M ×8/512K ×16) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓1M ×8/512K ×16位閃速存儲器) |
| MBM29PDS322TE10PBT | Replaced by TPS2046B : 0.345A, 2.7-5.5V Dual (1In/2Out) Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29PDS322TE10 | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
| MBM29PDS322BE | 32M (2M x 16) BIT Page Dual Operation |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV800TE | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800TE60PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800TE60PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800TE60TN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
| MBM29LV800TE70PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M x 8/512 K x 16) BIT |
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