參數(shù)資料
型號(hào)： MBR160
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： DIODE 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode
中文描述： Schottky (Diodes & Rectifiers) 1.0 Amp 60 Volt
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 32K
代理商： MBR160
MBR150, MBR160
Bulletin PD-20589 rev. B 03/03
2
www.irf.com
V
R
V
RWM
Max.
Working Peak Reverse Voltage (V)
Max.
DC Reverse Voltage (V)
50
60
Voltage Ratings
Part number
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
* See Fig. 1
0.75
0.9
1.0
0.65
0.75
0.82
0.5
5
V
V
V
V
V
V
@ 1A
@ 2A
@ 3A
@ 1A
@ 2A
@ 3A
T
J
= 25 °C
T
J
= 100°C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
(test signal range 100Khz to 1Mhz) 25°C
Measured lead to lead 5mm from package body
(1)
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
* See Fig. 2
mA
mA
(1)
V
R
= rated V
R
10
55
mA
pF
C
T
L
S
dv/dt Max. Voltage Rate of Change
Typical Junction Capacitance
Typical Series Inductance
8.0
nH
10000
V/μs
(Rated V
R
)
Electrical Specifications
T
J
T
stg
R
thJL
Max. Thermal Resistance Junction
to Lead
wt
Approximate Weight
Case Style
Max. Junction Temperature Range(*)
- 40 to 150
°C
Max. Storage Temperature Range
- 40 to 150
°C
80
°C/W DC operation (*See Fig. 4)
(**)
0.33(0.012) g (oz.)
DO-204AL(DO-41)
Thermal-Mechanical Specifications
MBR150
MBR160
Parameters
Value
Units Conditions
Parameters
Value
Units Conditions
(1) Pulse Width < 300μs, Duty Cycle <2%
(**) Mounted 1 inch square PCB, Thermal Probe connected to lead 2mm from package
I
F(AV)
Max. Average Forward Current
* See Fig. 4
I
FSM
Surge Current * See Fig. 6
1.0
A
50% duty cycle @ T
C
= 75°C, rectangular wave form
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive
150
5μs Sine or 3μs Rect. pulse
25
10ms Sine or 6ms Rect. pulse
E
AS
I
AR
Non-Repetitive Avalanche Energy
2.0
mJ
T
J
= 25 °C, I
AS
= 1 Amps, L = 4 mH
Current decaying linearly to zero in 1 μsec
Frequency limited by T
J
max. V
A
= 1.5 x V
R
typical
Repetitive Avalanche Current
1.0
A
Absolute Maximum Ratings
Following any rated
load condition and with
rated V
RRM
applied
A
Parameters
Value
Units
Conditions
<
thermal runaway condition for a diode on its own heatsink
Rth( j-a)
(*) dPtot
dTj
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR160TR DIODE 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode
MBR150TR DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode
MBR1535CT-1PBF Diode Schottky 35V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
MBR1535CTPBF Diode Schottky 35V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MBR1545CTPBF Diode Schottky 45V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR160_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MBR160G 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR160HWTR 功能描述:PIV 60V IO 1A VF 0 72V PACKAGE S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:720mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 60V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:30pF @ 5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應(yīng)商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
MBR160RL 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR160RLG 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*