參數(shù)資料
型號： MBRB10H100-E3/31
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： MBRB10H100-E3/31
Document Number 88667
28-Jun-06
www.vishay.com
3
MBR(F,B)10H90 & MBR(F,B)10H100
Vishay General Semiconductor
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
0.1
0.2
0.6
0.7
0.8
0.9
0.3
100
10
0.1
0.01
1.0
0.4
0.5
1.0
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Tj = 100 °C
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 175 °C
Tj = 25 °C
1.0
1000
0.01
0.1
10000
100
10
20
100
40
60
80
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
Tj = 100 °C
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance Per Leg
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance Per Leg
0.1
10
1
100
1000
10000
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
相關PDF資料
PDF描述
MBRB2060CTT4 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBRB20H45CT-E3/31 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB25H45CT-E3/31 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB30H60CT-E3/31 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB4045CTPBF 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MBRB10H100HE3/81 功能描述:肖特基二極管與整流器 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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MBRB10H150CT-1/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 150 Volt 10A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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