參數(shù)資料
型號: MBT3904DW
廠商: WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述: Dual General Purpose Transistor NPN+NPN Silicon
中文描述: 雙通用npn型NPN硅晶體管
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大?。?/td> 208K
代理商: MBT3904DW
Electrical Characteristics
(
TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)
Characteristics
Symbol
Unit
Min
Max
MBT3904DW
Small-signal Characteristics
Current-Gain-Bandwidth Product
(IC= 10 mAdc, VCE= 20 Vdc, f=100MHz)
Output Capacitance
(VCB= 5.0 Vdc, IE=0, f=1.0MHz)
Input Capacitance
(VEB= 0.5 Vdc, IC=0, f=1.0MHz)
Input Impedance
(VCE= 10 Vdc, IC=1.0 mAdc, f=1.0 kHz)
Voltage Feeback Radio
(VCE= 10Vdc, IC=1.0 mAdc, f=1.0 kHz)
Small-Signal Current Gain
(VCE= 10Vdc, IC=1.0 mAdc, , f=1.0 kHz)
Output Admittance
(VCE= 10Vdc, IC=1.0 mAdc, f=-1.0kHz)
Noise Figure
(VCE= 5.0Vdc, IC= 100 μAdc, , RS=1.0k ohms, f=1.0kHz)
fT
Cobo
Cibo
hie
hre
hfe
hoe
NF
300
-
-
-
-
0.5
1.0
100
1.0
4.0
5.0
MHz
pF
pF
k ohms
x 10-4
-
μmhos
dB
40
400
8.0
10
8.0
Switching Characteristics
Delay Time
Rise Time
Storage Time
Fall Time
(Vcc= 3.0 Vdc, V
BE
= -0.5 Vdc
Ic= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
(Vcc= 3.0 Vdc,
Ic= 10 mAdc, I
B1
=I
B2=
1.0 mAdc)
td
tr
ts
tf
-
-
-
-
35
35
200
50
ns
ns
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
DC Current Gain
(IC= 0.1 mAdc, VCE=1.0Vdc)
(IC= 1.0 mAdc, VCE= 1.0 Vdc)
(IC= 10 mAdc, VCE= 1.0Vdc)
(IC= 50 mAdc, VCE= 1.0Vdc)
(IC= 100 mAdc, VCE= 1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(2)
(IC= 10 mAdc, IB= 1.0mAdc)
(IC= 50 mAdc, IB= 5.0mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
(2)
(IC= 10 mAdc, IB= 1.0 mAdc)
(IC= 50 mAdc, IB= 5.0 mAdc)
HFE
VCE(sat)
VBE(sat)
-
Vdc
Vdc
40
70
100
60
30
-
-
-
-
300
-
-
0.2
0.3
0.85
0.95
On Characteristics
0.65
-
(2)
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參數(shù)描述
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MBT3904DW1T1_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual General Purpose Transistors
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MBT3904DW1T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MBT3904DW1T3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2