參數(shù)資料
型號(hào)： MC33290DR2
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 其它接口
英文描述： ISO SERIAL LINK INTERFACE
中文描述： SPECIALTY INTERFACE CIRCUIT, PDSO8
封裝： PLASTIC, SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 119K
代理商： MC33290DR2
MC33290
2
MOTOROLA ANALOG IC DEVICE DATA
Figure 1. Simplified Block Diagram
VBB
CEN
VDD
Tx
Rx
6
ISO
4
Gnd
3
40 V
Thermal
Shutdown
RHys
Master
Bias
1
8
7
5
MAXIMUM RATINGS
(
All voltages are with respect to ground, unless otherwise noted.)
Rating
Symbol
Value
Unit
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
Machine Model (Note 3)
VDD DC Supply Voltage
VBB Load Dump Peak Voltage
ISO Pin Load Dump Peak Voltage
VESD1
VESD2
TC
PD
Tsolder
R
VDD
VBB(LD)
VISO
IISO(LIM)
2000
200
–0.3 to 7.0
V
áááááááááááááááááááááá
ISO Short Circuit Current Limit
45
V
40
V
1.0
A
ESD Voltage (Note 1)
V
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
NOTES:
1.ESD data available upon request.
2.Testing in accordance with Human Body Model (CZap = 100 pF, RZap = 1500
).
3.Testing in accordance with Machine Model (CZap = 100 pF, RZap = 0
).
4.Non–repetitive clamping capability at 25
°
C.
ISO Clamp Energy (Note 4)
10
mJ
Storage Temperature
Operating Case Temperature
Operating Junction Temperature
Power Dissipation (TA = 25
°
C)
Soldering Temperature (for 10 seconds)
–55 to +150
–40 to +125
–40 to +150
0.8
260
150
°
C
°
C
°
C
W
°
C
°
C/W
áááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
Thermal Resistance (Junction–to–Ambient)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Characteristics noted under conditions of 4.75 V
≤
VDD
≤
5.25 V, 8.0 V
≤
VBB,
HSIP
≤
18.0 V, –40
°
C
≤
TC
≤
125
°
C, unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
áááááááááááááááááááááááááááááááá
á
áááááááááááááááááááá
á
áááááááááááááááááááá
á
ááááááááááááááááááááááá
áááááááááááááááááááááá
Input Low Voltage Threshold (Note 2)
áááááááááááááááááá
VRSM = VRSP = 0 V, Tx = 0.8 VDD, CEN = 0.3 VDD)
ááá
áááááááááááá
–
á
áá
á
áá
ááááááááááá
á
á
0.3 VDD
–
á
ááá
á
á
–
–
á
á
á
áááááááááááááááááá
ááá
ááá
VIL(CEN)
LSIP = 0.3 V, VRSM = 0 V, VRSP = –0.5 V, Tx = 0.2 VDD, CEN = 0.7 VDD)
á
–
ááá
á
áááááá
ááá
–
á
á
V
1.0
ááá
á
á
áááááááááááááááááááááááááááááááá
VBB Sleep State Current (VBB = 16 V, HSIM = HSIP, LSIM = LSIP = 0 V,
IBB(SS)
áá
–
–
ááá
50
μ
A
áááááááááááááááááá
LSIP = 0.3 V, VRSM = 0 V, VRSP = –0.5 V, Tx = 0.2 VDD, CEN = 0.7 VDD)
á
á
á
–
á
á
Input High Voltage Threshold (Note 1)
NOTES:
1.When IBB transitions to >100
μ
A.
2.When IBB transitions to <100
μ
A.
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