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參數(shù)資料
| 型號： | MC3346P |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 CHANNEL, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | MC3346P |
MC3346
http://onsemi.com
3
Figure 1. Collector Cutoff Current
versus Temperature (Each Transistor)
Figure 2. Collector Cutoff Current
versus Temperature (Each Transistor)
Figure 3. Input Offset Characteristics
for Q1 and Q2
Figure 4. Base–Emitter and Input Offset
Voltage Characteristics
Figure 5. DC Current Gain
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
IB = 0
VCE = 10 V
VCE = 5.0 V
0
25
50
75
100
125
I
,COLLECTOR
CUTOFF
CURRENT
(nAdc)
CBD
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
VCB = 15 V
VCB = 5.0 V
VCB = 10 V
0
25
50
75
100
125
I
,COLLECTOR
CUTOFF
CURRENT
(nAdc)
CBD
IE, EMITTER CURRENT (mAdc)
hFE
FEh
,DC
CURRENT
GAIN
h
/h
,DC
CURRENT
GAIN
RA
TIO
FE1
FE2
0.01
0.05
0.1
0.5
1.0
5.0
10
hFE1
hFE2
or
hFE2
hFE1
IC, COLLECTOR CURRENT (mAdc)
I
,INPUT
OFFSET
CURRENT
(
Adc)
IO
0.01
0.02 0.03 0.05
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
IE, EMITTER CURRENT (mAdc)
V
,
BASEEMITTER
VOL
TAGE
(V)
FE
VBE
VIO
0.01
0.05
0.1
0.5 1.0
5.0
10
V
,INPUT
OFFSET
VOL
TAGE
(mVdc)
IO
102
101
1.0
10-1
10-2
10-3
103
102
101
1.0
10-1
10-2
140
130
110
90
70
50
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
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