參數(shù)資料
型號(hào)： MC68HC908LB8
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： On-Chip FLASH Programming Routines
中文描述： 片上閃存編程例程
文件頁數(shù)： 25/36頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： MC68HC908LB8
On-Chip Routines Source Code
On-Chip FLASH Programming Routines, Rev. 4
Freescale Semiconductor
25
;* more than Offset samples = 1 means bit is detected as a logic 1
BitX2: equ 210 ;delay count for ~2 bit times
;* 2 bit time is not accurate
BitTimeE: equ 76 ;delay count for 1 bit time (Ext) and
BitTimeI: equ 129 ; (Int) used in PutByte
BrkTimeE: equ 232 ;delay count for 10 bit times (Ext)
BrkTimeI: equ 123 ; and (Int) used in EchoBrk
;*********************************************************************
;* EQUATES and VARIABLES for FLASH routines
;*********************************************************************
DATSTRC: equ RamStart+8 ;leave 8-byte offset from start of
; RAM for future requirement
MASSBIT: equ 6 ;MASS bit of CTRLBYT located in bit 6
ROWSIZE: equ 32 ;FLASH ROW size
org DATSTRC
;* The following variables set by user
CTRLBYT: rmb 1 ;control byte for erase operation
; selection
CPUSPD: rmb 1 ;CPU bus speed (nearest integer of
; bus freq (in MHz) * 4)
LADDR: rmb 2 ;last address
DATA: rmb ROWSIZE ;allocation/use of this space depends
; on a device
RamPntrLo: equ LADDR ;LADDR loc. reused as RAM pointer in
; PRGRNGE routine
ByteCntr: equ LADDR+1 ;LADDR+1 loc. reused as Byte Count in
; PRGRNGE routine
;* These times are for use by ERARNGE
LoopErase: equ 20 ;total Terase time (~ 4ms)
; =20+(EraseLOOP*(3*CPUSPD*TERASE+26))
TERASE: equ 17 ;FLASH erase time between COP service
; COP is serviced every ~200 us =
; 3*CPUSPD*TERASE+26 (bus cycles)
TNVHL: equ 9 ;FLASH high-voltage hold time (>= 100us)
; = 3*SPUSPD*TNVHL+19 (bus cycles)
LoopCOP: equ 6 ;COP is serviced when LoopCOP reaches
; to zero
;*********************************************************************
;* JUMP TABLE
;*********************************************************************
org JumpTable
ByteGet: jmp GetByte ;receive one byte data from a host
BytePut: jmp PutByte ;send one byte data to a host
RNGRDVR: jmp RDVRRNG ;read/verify FLASH data
RNGEERA: jmp ERARNGE ;erase FLASH
RNGEPRG: jmp PRGRNGE ;program FLASH
NUSDEL: jmp DELNUS ;generate delay
**********************************************************************
* ROUTINES
**********************************************************************
org FlashROM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MC68HC908LB8CDWE 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 20SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908LB8CPE 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 20DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908LB8MDWE 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 20SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908LB8MPE 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 20DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC68HC908LB8VDWE 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 20-SOICW RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
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