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參數(shù)資料
| 型號： | MC68HC908QY2CPE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 72/184頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 1.5K FLASH W/ADC 16-DIP |
| 標準包裝： | 25 |
| 系列： | HC08 |
| 核心處理器： | HC08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 外圍設備： | LVD，POR，PWM |
| 輸入/輸出數(shù)： | 13 |
| 程序存儲器容量： | 1.5KB（1.5K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉換器： | A/D 4x8b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 16-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包裝： | 管件 |
| 產品目錄頁面： | 723 (CN2011-ZH PDF) |
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Memory Characteristics
MC68HC908QY/QT Family Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
163
16.16 Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
RAM data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
FLASH program bus clock frequency
—
1
—
MHz
FLASH read bus clock frequency
fRead
(1)
1. fRead is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
0—
8 M
Hz
FLASH page erase time
<1 k cycles
>1 k cycles
tErase
0.9
3.6
1
4
1.1
5.5
ms
FLASH mass erase time
tMErase
4—
—
ms
FLASH PGM/ERASE to HVEN setup time
tNVS
10
—
μs
FLASH high-voltage hold time
tNVH
5—
—
μs
FLASH high-voltage hold time (mass erase)
tNVHL
100
—
μs
FLASH program hold time
tPGS
5—
—
μs
FLASH program time
tPROG
30
—
40
μs
FLASH return to read time
tRCV
(2)
2. tRCV is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump, by
clearing HVEN to 0.
1—
—
μs
FLASH cumulative program HV period
tHV
(3)
3. tHV is defined as the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase.
tHV must satisfy this condition: tNVS + tNVH + tPGS + (tPROG x 32) ≤ tHV maximum.
——
4
ms
FLASH endurance(4)
4. Typical endurance was evaluated for this product family. For additional information on how Freescale defines Typical
Endurance, please refer to Engineering Bulletin EB619.
—
10 k
100 k
—
Cycles
FLASH data retention time(5)
5. Typical data retention values are based on intrinsic capability of the technology measured at high temperature and de-rated
to 25C using the Arrhenius equation. For additional information on how Freescale defines Typical Data Retention, please
refer to Engineering Bulletin EB618.
—
15
100
—
Years
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MC68HC908QY2MDTE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.5K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC68HC908QY2MDW | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8 Bit 8MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC68HC908QY2MP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:1.5K FLASH W/ADC - Bulk |
| MC68HC908QY2MPE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 1.5K FLASH W/ADC- LEAD FREE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC68HC908QY2VDTE | 功能描述:IC MCU 4K FLASH W/ADC 16-TSSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
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