參數(shù)資料
型號： MC908AP8CFBE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 242/324頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8K FLASH 8MHZ 44QFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 96
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： I²C，IRSCI，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LED，LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 32
程序存儲器容量： 8KB（8K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 44-QFP
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁面： 725 (CN2011-ZH PDF)
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Electrical Specifications
MC68HC908AP Family Data Sheet, Rev. 4
314
Freescale Semiconductor
22.17 Memory Characteristics
Table 22-17. Memory Characteristics
Characteristic
Symbol
Min.
Max.
Unit
Data retention voltage
VRDR
1.3
—
V
Number of rows per page
8
Rows
Number of bytes per page
512
Bytes
Read bus clock frequency
fread
(1)
1. fread is defined as the frequency range for which the FLASH memory can be read.
32k
8M
Hz
Page erase time
terase
(2)
2. If the page erase time is longer than terase (Min.), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the FLASH
memory.
20
—
ms
Mass erase time
tme
(3)
3. If the mass erase time is longer than tme (Min.), there is no erase-disturb, but it reduces the endurance of the FLASH
memory.
200
—
ms
PGM/ERASE to HVEN setup time
tnvs
5—
s
High-voltage hold time
tnvh
5—
s
High-voltage hold time (mass erase)
tnvh1
100
—
s
Program hold time
tpgs
10
—
s
Program time
tprog
20
40
s
Address/data setup time
tads
20
—
ns
Address/data hold time
tadh
—30
ns
Recovery time
trcv
(4)
4. It is defined as the time it needs before the FLASH can be read after turning off the high voltage charge pump, by clearing
HVEN to logic 0.
1—
s
Cumulative HV period
thv
(5)
5. thv is the cumulative high voltage programming time to the same row before next erase, and the same address can not be
programmed twice before next erase.
—
8
ms
Row erase endurance(6)
6. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least this many
erase/program cycles.
—
10k
—
Cycles
Row program endurance(7)
7. The minimum row endurance value specifies each row of the FLASH memory is guaranteed to work for at least this many
erase/program cycle.
—
10k
—
Cycles
Data retention time(8)
8. The FLASH is guaranteed to retain data over the entire operating temperature range for at least the minimum time
specified.
—
10
—
Years
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC908AS32ACFNER 功能描述:8位微控制器 -MCU 32K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908AS32ACFNR2 制造商:Motorola Inc 功能描述:
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