參數(shù)資料
型號(hào)： MC908GR48ACFJE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 262/314頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 48K FLASH 8MHZ 32-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1,250
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 21
程序存儲(chǔ)器容量： 48KB（48K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 1.5K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 24x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 32-LQFP
包裝： 托盤
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FLASH-2 Memory (FLASH-2)
MC68HC908GR60A MC68HC908GR48A MC68HC908GR32A Data Sheet, Rev. 5
Freescale Semiconductor
51
HVEN — High-Voltage Enable Bit
This read/write bit enables the charge pump to drive high voltages for program and erase operations
in the array. HVEN can only be set if either PGM = 1 or ERASE = 1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
Setting this read/write bit configures the FLASH-2 array for mass or page erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Page erase operation selected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be set at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation unselected
2.7.2.2 FLASH-2 Block Protect Register
The FLASH-2 block protect register (FL2BPR) is implemented as a byte within the FLASH-1 memory;
therefore, can only be written during a FLASH-1 programming sequence. The value in this register
determines the starting location of the protected range within the FLASH-2 memory.
NOTE
The FLASH-2 block protect register (FL2BPR) controls the block protection
for the FLASH-2 array. However, FL2BPR is implemented within the
FLASH-1 memory array and therefore, the FLASH-1 control register
(FL1CR) must be used to program/erase FL2BPR.
FL2BPR[7:0] — Block Protect Register Bits 7 to 0
These eight bits represent bits [14:7] of a 16-bit memory address. Bit 15 is a 0 and bits [6:0] are 0s.
The resultant 16-bit address is used for specifying the start address of the FLASH-2 memory for block
protection. FLASH-2 is protected from this start address to the end of FLASH-2 memory at $7FFF.
With this mechanism, the protect start address can be $XX00 and $XX80 (128 byte page boundaries)
within the FLASH-2 array.
Address:
$FF81
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
BPR7
BPR6
BPR5
BPR4
BPR3
BPR2
BPR1
BPR0
Write:
Reset:
Unaffected by reset
Figure 2-8. FLASH-2 Block Protect Register (FL2BPR)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MC908GR48AMFAE 功能描述:IC MCU 8BIT 48K FLASH 48-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
MC908GR48AMFJE 功能描述:IC MCU 8BIT 48K FLASH 32-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲(chǔ)器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
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