參數(shù)資料
型號： MC908JL8CPE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 141/212頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8K FLASH 8MHZ 28-DIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 13
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI
外圍設(shè)備： LED，LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 23
程序存儲器容量： 8KB（8K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 256 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 13x8b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-DIP（0.600"，15.24mm）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 725 (CN2011-ZH PDF)
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Memory
MC68HC908JL8/JK8 MC68HC08JL8/JK8 MC68HC908KL8 Data Sheet, Rev. 3.1
34
Freescale Semiconductor
2.7 FLASH Control Register
The FLASH control register (FCLR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables the charge pump to drive high voltages for program and erase operations
in the array. HVEN can only be set if either PGM = 1 or ERASE = 1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation or page erase operation when the
ERASE bit is set.
1 = Mass erase operation selected
0 = Page erase operation selected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation not selected
PGM — Program Control Bit
This read/write bit configures the memory for program operation. PGM is interlocked with the ERASE
bit such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Program operation selected
0 = Program operation not selected
2.8 FLASH Page Erase Operation
Use the following procedure to erase a page of FLASH memory. A page consists of 64 consecutive bytes
starting from addresses $XX00, $XX40, $XX80 or $XXC0. The 36-byte user interrupt vectors area also
forms a page. Any page within the 8,192 bytes user memory area ($DC00–$FBFF) can be erased alone.
The 36-byte user interrupt vectors cannot be erased by the page erase operation because of security
reasons. Mass erase is required to erase this page.
1.
Set the ERASE bit and clear the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH address within the page address range desired.
4.
Wait for a time, tnvs (10s).
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time terase (4ms).
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
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PDF描述
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