參數(shù)資料
型號(hào)： MC908QC8CDRE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 207/275頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC MCU 8BIT 8K FLASH 28-TSSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 50
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 24
程序存儲(chǔ)器容量： 8KB（8K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型： 閃存
RAM 容量： 384 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 3 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 10x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 28-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁(yè)面： 725 (CN2011-ZH PDF)
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Memory
MC68HC908QC16 MC68HC908QC8 MC68HC908QC4 Data Sheet, Rev. 5
36
Freescale Semiconductor
2.6 FLASH Memory (FLASH)
The FLASH memory is intended primarily for program storage. In-circuit programming allows the
operating program to be loaded into the FLASH memory after final assembly of the application product.
It is possible to program the entire array through the single-wire monitor mode interface. Because no
special voltages are needed for FLASH erase and programming operations, in-application programming
is also possible through other software-controlled communication paths.
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The FLASH memory can be
read, programmed, and erased from the internal VDD supply. The program and erase operations are
enabled through the use of an internal charge pump.
The minimum size of FLASH memory that can be erased is 64 bytes; and the maximum size of FLASH
memory that can be programmed in a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase operations
are facilitated through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these operations
appear later in this section.
NOTE
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0. A security
feature prevents viewing of the FLASH contents.(1)
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
1 = High voltage enabled to array and charge pump on
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
ERASE — Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for erase operation. ERASE is interlocked with the PGM bit
such that both bits cannot be equal to 1 or set to 1 at the same time.
1 = Erase operation selected
0 = Erase operation unselected
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult
for unauthorized users.
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC9S08SE4VWL MCU 8BIT 4K FLASH 5V 28-SOIC
MC9S08SE4VTG MCU 8BIT 4K FLASH 5V 16-TSSOP
MC9S08SE4VRL MCU 8BIT 4K FLASH 5V 28-DIP
MC9S08SE4MTG MCU 8BIT 4K FLASH 5V 16-TSSOP
MC9S08SE4MRL MCU 8BIT 4K FLASH 5V 28-DIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC908QC8CDRER 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
MC908QC8CDSE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 8KFLASH PB FREE RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時(shí)鐘頻率:50 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC908QC8CDSER 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
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MC908QC8CDTER 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
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