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參數(shù)資料
| 型號： | MC908QY2AVDWER |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 112/184頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU 8BIT 1.5K FLASH 16SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 47 |
| 系列： | HC08 |
| 核心處理器： | HC08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 8MHz |
| 外圍設(shè)備： | LVD，POR，PWM |
| 輸入/輸出數(shù)： | 13 |
| 程序存儲器容量： | 1.5KB（1.5K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 6x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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FLASH Memory (FLASH)
MC68HC908QY/QT Family Data Sheet, Rev. 6
Freescale Semiconductor
33
2.6 FLASH Memory (FLASH)
This subsection describes the operation of the embedded FLASH memory. The FLASH memory can be
read, programmed, and erased from a single external supply. The program and erase operations are
enabled through the use of an internal charge pump.
The FLASH memory consists of an array of 4096 or 1536 bytes with an additional 48 bytes for user
vectors. The minimum size of FLASH memory that can be erased is 64 bytes; and the maximum size of
FLASH memory that can be programmed in a program cycle is 32 bytes (a row). Program and erase
operations are facilitated through control bits in the FLASH control register (FLCR). Details for these
operations appear later in this section. The address ranges for the user memory and vectors are:
$EE00 – $FDFF; user memory, 4096 bytes: MC68HC908QY4 and MC68HC908QT4
$F800 – $FDFF; user memory, 1536 bytes: MC68HC908QY2, MC68HC908QT2,
MC68HC908QY1 and MC68HC908QT1
$FFD0 – $FFFF; user interrupt vectors, 48 bytes.
NOTE
An erased bit reads as a 1 and a programmed bit reads as a 0.
A security feature prevents viewing of the FLASH contents.(1)
2.6.1 FLASH Control Register
The FLASH control register (FLCR) controls FLASH program and erase operations.
HVEN — High Voltage Enable Bit
This read/write bit enables high voltage from the charge pump to the memory for either program or
erase operation. It can only be set if either PGM =1 or ERASE =1 and the proper sequence for
program or erase is followed.
0 = High voltage disabled to array and charge pump off
MASS — Mass Erase Control Bit
This read/write bit configures the memory for mass erase operation.
1 = Mass erase operation selected
0 = Mass erase operation unselected
1. No security feature is absolutely secure. However, Freescale’s strategy is to make reading or copying the FLASH difficult
for unauthorized users.
Address:
$FE08
Bit 7
654321
Bit 0
Read:
0000
HVEN
MASS
ERASE
PGM
Write:
Reset:
00000000
= Unimplemented
Figure 2-3. FLASH Control Register (FLCR)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-B7Y-IY-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 33W |
| MC705P6AMPE | IC MCU 8BIT 4.5K FLASH 28-PDIP |
| MC705P6AMDWE | IC MCU 4.6K OTP 2.1MHZ 28-SOIC |
| MC705P6ACPE | IC MCU 2.1MHZ 4.5K OTP 28-DIP |
| VJ2225Y125KBBAT4X | CAP CER 1.2UF 100V 10% X7R 2225 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC908QY2CDTE | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:M68HC08 Microcontrollers |
| MC908QY2CDTER | 功能描述:8位微控制器 -MCU NITRON 1.5K FLASH W/ADC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| MC908QY2CDWE | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers |
| MC908QY2CDWR2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| MC908QY2CFQE | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:M68HC08 Microcontrollers |
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