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參數(shù)資料
| 型號： | MC9RS08LE4CWL |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 27/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MCU 8BIT 4K FLASH W/LCD 28-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 26 |
| 系列： | RS08 |
| 核心處理器： | RS08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 連通性： | SCI |
| 外圍設(shè)備： | LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 26 |
| 程序存儲器容量： | 4KB（4K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 256 x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 包裝： | 管件 |
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MC9RS08LE4 MCU Data Sheet, Rev. 3
DC Characteristics
Freescale Semiconductor
8
specification at room temperature followed by hot temperature, unless specified otherwise in the device
specification.
3.6
DC Characteristics
This section includes information about power supply requirements, I/O pin characteristics, and power
supply current in various operating modes.
Table 5. ESD and Latch-up Test Conditions
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human
Body
Series resistance
R1
1500
Ω
Storage capacitance
C
100
pF
Number of pulses per pin
—
3
—
Machine
Series resistance
R1
0
Ω
Storage capacitance
C
200
pF
Number of pulses per pin
—
3
—
Latch-up
Minimum input voltage limit
—
–2.5
V
Maximum input voltage limit
—
7.5
V
Table 6. ESD and Latch-Up Protection Characteristics
No.
Rating1
1 Parameter is achieved by design characterization on a small sample size from typical devices
under typical conditions unless otherwise noted.
Symbol
Min
Max
Unit
1
Human body model (HBM)
VHBM
±2000
—
V
2
Machine model (MM)
VMM
±200
—
V
3
Charge device model (CDM)
VCDM
±500
—
V
4
Latch-up current at TA = 85°C
ILAT
±1002
2 These pins meet JESD78A Class II (section 1.2) Level A (section 1.3) requirement of ±100 mA.
—mA
Latch-up current at TA = 85°C
ILAT
±753
3 This pin meets JESD78A Class II (section 1.2) Level B (section 1.3) characterization to ±75 mA.
—mA
Table 7. DC Characteristics (Temperature Range = –40 to 85
°C Ambient)
Num
C
Parameter
Symbol
Min
Typical
Max
Unit
1
Supply voltage (run, wait and stop modes.)
0 < fBus <10MHz
VDD
2.7
—
5.5
—
2
C Minimum RAM retention supply voltage applied to VDD
VRAM
0.81
——
V
3P
Low-voltage Detection threshold
(VDD falling)
(VDD rising)
VLVD
1.80
1.88
1.86
1.94
1.95
2.03
V
4
C Power on RESET (POR) voltage
VPOR
0.9
—
1.7
V
5C
Input high voltage (VDD > 2.3V) (all digital inputs)
VIH
0.70
× VDD
——
V
Input high voltage (1.8 V
≤ VDD ≤ 2.3 V) (all digital
inputs)
0.85
× VDD
——
V
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