參數(shù)資料
型號： MC9S08DZ60AMLF
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 366/416頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 60K FLASH 4K RAM 48-LQFP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： S08D 8-Bit Microcontroller
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 250
系列： S08
核心處理器： S08
芯體尺寸： 8-位
速度： 40MHz
連通性： CAN，I²C，LIN，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 39
程序存儲器容量： 60KB（60K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 2K x 8
RAM 容量： 4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 16x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 48-LQFP
包裝： 托盤
產(chǎn)品目錄頁面： 729 (CN2011-ZH PDF)
配用： DEMO9S08DZ60-ND - BOARD DEMO FOR MC9S08DZ60
EVB9S08DZ60-ND - BOARD EVAL FOR 9S08DZ60
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Chapter 4 Memory
MC9S08DZ60 Series Data Sheet, Rev. 4
Freescale Semiconductor
53
Burst programming capability
Sector erase abort
4.5.2
Program and Erase Times
Before any program or erase command can be accepted, the Flash and EEPROM clock divider register
(FCDIV) must be written to set the internal clock for the Flash and EEPROM module to a frequency
(fFCLK) between 150 kHz and 200 kHz (see Section 4.5.11.1, “Flash and EEPROM Clock Divider
Register (FCDIV)”). This register can be written only once, so normally this write is performed during
reset initialization. The user must ensure that FACCERR is not set before writing to the FCDIV register.
One period of the resulting clock (1/fFCLK) is used by the command processor to time program and erase
pulses. An integer number of these timing pulses is used by the command processor to complete a program
or erase command.
Table 4-6 shows program and erase times. The bus clock frequency and FCDIV determine the frequency
of FCLK (fFCLK). The time for one cycle of FCLK is tFCLK = 1/fFCLK. The times are shown as a number
of cycles of FCLK and as an absolute time for the case where tFCLK =5 μs. Program and erase times
shown include overhead for the command state machine and enabling and disabling of program and erase
voltages.
4.5.3
Program and Erase Command Execution
The FCDIV register must be initialized after any reset and any error ag is cleared before beginning
command execution. The command execution steps are:
1. Write a data value to an address in the Flash or EEPROM array. The address and data information
from this write is latched into the Flash and EEPROM interface. This write is a required rst step
in any command sequence. For erase and blank check commands, the value of the data is not
important. For sector erase commands, the address can be any address in the sector of Flash or
EEPROM to be erased. For mass erase and blank check commands, the address can be any address
in the Flash or EEPROM memory. Flash and EEPROM erase independently of each other.
Table 4-6. Program and Erase Times
Parameter
Cycles of FCLK
Time if FCLK = 200 kHz
Byte program
9
45
μs
Burst program
4
20
μs1
1 Excluding start/end overhead
Sector erase
4000
20 ms
Mass erase
20,000
100 ms
Sector erase abort
4
20
μs1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MCF52221CAE66 IC MCU 128K FLASH 66MHZ 64-LQFP
MC9S08DZ60AMLC IC MCU 60K FLASH 4K RAM 32-LQFP
MCF52221CAF80 IC MCU 128K FLASH 80MHZ 100-LQFP
MCF52223CAF66 IC MCU 256K FLASH 66MHZ 100-LQFP
DSP56F801FA60E IC DSP 60MHZ 16KB FLASH 48-LQFP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S08DZ60AMLF 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:8-BIT MICROCONTROLLER IC HCS08 40MHZ
MC9S08DZ60AMLH 功能描述:8位微控制器 -MCU 60K FL, 4K RAM, CAN, LIN MASTER, EEPROM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08DZ60AMLH 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:HCS08 8-BIT MICROCONTROLLER IC
MC9S08DZ60AV 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:MC9S08DZ60 Series Data Sheet
MC9S08DZ60CLC 功能描述:8位微控制器 -MCU 60K FLASH 4K RAM 32PIN RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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