- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄3786 > MC9S08GT60ACFBE (Freescale Semiconductor)IC MCU 60K FLASH 4K RAM 44-QFP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MC9S08GT60ACFBE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 272/302頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 60K FLASH 4K RAM 44-QFP |
| 標準包裝： | 96 |
| 系列： | S08 |
| 核心處理器： | S08 |
| 芯體尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 40MHz |
| 連通性： | I²C，SCI，SPI |
| 外圍設備： | LVD，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 36 |
| 程序存儲器容量： | 60KB（60K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 4K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉換器： | A/D 8x10b |
| 振蕩器型： | 內(nèi)部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 44-QFP |
| 包裝： | 托盤 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 730 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用： | M68DEMO908GB60E-ND - BOARD DEMO MC9S08GB60 M68EVB908GB60E-ND - BOARD EVAL FOR MC9S08GB60 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁當前第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁
Chapter 5 Resets, Interrupts, and System Configuration
MC9S08GB60A Data Sheet, Rev. 2
Freescale Semiconductor
71
5.6
Low-Voltage Detect (LVD) System
The MC9S08GBxxA/GTxxA includes a system to protect against low voltage conditions to protect
memory contents and control MCU system states during supply voltage variations. The system comprises
a power-on reset (POR) circuit and an LVD circuit with a user selectable trip voltage, either high (VLVDH)
or low (VLVDL). The LVD circuit is enabled when LVDE in SPMSC1 is high and the trip voltage is selected
by LVDV in SPMSC2. The LVD is disabled upon entering any of the stop modes unless the LVDSE bit is
set. If LVDSE and LVDE are both set, then the MCU cannot enter stop1 or stop2, and the current
consumption in stop3 with the LVD enabled will be greater.
5.6.1
Power-On Reset Operation
When power is initially applied to the MCU, or when the supply voltage drops below the VPOR level, the
POR circuit will cause a reset condition. As the supply voltage rises, the LVD circuit will hold the chip in
reset until the supply has risen above the VLVDL level. Both the POR bit and the LVD bit in SRS are set
following a POR.
5.6.2
LVD Reset Operation
The LVD can be configured to generate a reset upon detection of a low voltage condition by setting
LVDRE to 1. After an LVD reset has occurred, the LVD system will hold the MCU in reset until the supply
voltage has risen above the level determined by LVDV. The LVD bit in the SRS register is set following
either an LVD reset or POR.
5.6.3
LVD Interrupt Operation
When a low voltage condition is detected and the LVD circuit is configured for interrupt operation (LVDE
set, LVDIE set, and LVDRE clear), then LVDF will be set and an LVD interrupt will occur.
5.6.4
Low-Voltage Warning (LVW)
The LVD system has a low voltage warning flag to indicate to the user that the supply voltage is
approaching, but is still above, the LVD voltage. The LVW does not have an interrupt associated with it.
There are two user selectable trip voltages for the LVW, one high (VLVWH) and one low (VLVWL). The trip
voltage is selected by LVWV in SPMSC2.
5.7
Real-Time Interrupt (RTI)
The real-time interrupt function can be used to generate periodic interrupts based on a multiple of the
source clock's period. The RTI has two source clock choices, the external clock input (ICGERCLK) to the
ICG or the RTI's own internal clock. The RTI can be used in run, wait, stop2 and stop3 modes. It is not
available in stop1 mode.
In run and wait modes, only the external clock can be used as the RTI's clock source. In stop2 mode, only
the internal RTI clock can be used. In stop3, either the external clock or internal RTI clock can be used.
When using the external oscillator in stop3 mode, it must be enabled in stop (OSCSTEN = 1) and
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S08DZ60ACLH | IC MCU 60K FLASH 4K RAM 64-LQFP |
| DSP56F802TA60E | IC DSP 60MHZ 16KB FLASH 32-LQFP |
| MCF52213CAE50 | IC MCU 32BIT 128K FLASH 64-LQFP |
| MC9S08GT60ACFDE | IC MCU 60K FLASH 4K RAM 48-QFN |
| DS89C430-ENG | IC MCU FLASH 16KB 25MHZ 44-TQFP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC9S08GT60ACFBER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S08GT60ACFBER | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:IC 8BIT MCU HCS08 20MHZ QFP-44 |
| MC9S08GT60ACFDE | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S08GT60ACFDER | 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT 60K FLASH 4K RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S08GT60CB | 功能描述:IC MCU 60K FLASH 40MHZ 42-SDIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:S08 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。