參數(shù)資料
型號: MC9S08SH16MWL
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 239/328頁
文件大小: 0K
描述: MCU 8BIT 16K FLASH 28-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 26
系列: S08
核心處理器: S08
芯體尺寸: 8-位
速度: 40MHz
連通性: I²C,LIN,SCI,SPI
外圍設(shè)備: LVD,POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 23
程序存儲器容量: 16KB(16K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 容量: 1K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 16x10b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 125°C
封裝/外殼: 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
包裝: 管件
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁當(dāng)前第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁第313頁第314頁第315頁第316頁第317頁第318頁第319頁第320頁第321頁第322頁第323頁第324頁第325頁第326頁第327頁第328頁
Appendix A Electrical Characteristics
MC9S08SH32 Series Data Sheet, Rev. 2
Freescale Semiconductor
313
A.14
EMC Performance
Electromagnetic compatibility (EMC) performance is highly dependant on the environment in which the
MCU resides. Board design and layout, circuit topology choices, location and characteristics of external
components as well as MCU software operation all play a signicant role in EMC performance. The
system designer should consult Freescale applications notes such as AN2321, AN1050, AN1263,
AN2764, and AN1259 for advice and guidance specically targeted at optimizing EMC performance.
A.14.1
Radiated Emissions
Microcontroller radiated RF emissions are measured from 150 kHz to 1 GHz using the TEM/GTEM Cell
method in accordance with the IEC 61967-2 and SAE J1752/3 standards. The measurement is performed
with the microcontroller installed on a custom EMC evaluation board while running specialized EMC test
software. The radiated emissions from the microcontroller are measured in a TEM cell in two package
orientations (North and East).
The maximum radiated RF emissions of the tested conguration in all orientations are less than or equal
to the reported emissions levels.
A.14.2
Conducted Transient Susceptibility
Microcontroller transient conducted susceptibility is measured in accordance with an internal Freescale
test method. The measurement is performed with the microcontroller installed on a custom EMC
evaluation board and running specialized EMC test software designed in compliance with the test method.
The conducted susceptibility is determined by injecting the transient susceptibility signal on each pin of
the microcontroller. The transient waveform and injection methodology is based on IEC 61000-4-4
(EFT/B). The transient voltage required to cause performance degradation on any pin in the tested
conguration is greater than or equal to the reported levels unless otherwise indicated by footnotes below
Table A-17. Radiated Emissions, Electric Field
Parameter
Symbol
Conditions
Frequency
fOSC/fBUS
Level1
(Max)
1 Data based on qualication test results.
Unit
Radiated emissions,
electric eld
VRE_TEM
VDD = TBD
TA = +25
oC
package type
TBD
0.15 – 50 MHz
TBD crystal
TBD bus
TBD
dB
μV
50 – 150 MHz
TBD
150 – 500 MHz
TBD
500 – 1000 MHz
TBD
IEC Level
TBD
SAE Level
TBD
PRELIMINARY
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC9S08DN16CLF IC MCU 16K FLASH 1K RAM 48LQFP
MC9S08QE128CFT IC MCU 8BIT 128K FLASH 48-QFN
MC9S08DN16ACLC IC MCU 16K FLASH 1K RAM 32LQFP
MC908QC8CDRE IC MCU 8BIT 8K FLASH 28-TSSOP
MC9S08SE4VWL MCU 8BIT 4K FLASH 5V 28-SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S08SH16MWLRR 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:Microcontrollers
MC9S08SH16VTG 功能描述:8位微控制器 -MCU 5V MCU w/16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08SH16VTJ 功能描述:8位微控制器 -MCU 5V MCU w/16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S08SH16VTJR 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:S08 16K FLASH - Tape and Reel
MC9S08SH16VTL 功能描述:8位微控制器 -MCU 5V MCU w/16K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風(fēng)格:SMD/SMT