參數(shù)資料
型號: MC9S12E64CPVE
廠商: Freescale Semiconductor
文件頁數(shù): 554/606頁
文件大小: 0K
描述: IC MCU 64K FLASH 25MHZ 112-LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 60
系列: HCS12
核心處理器: HCS12
芯體尺寸: 16-位
速度: 25MHz
連通性: EBI/EMI,I²C,SCI,SPI
外圍設(shè)備: POR,PWM,WDT
輸入/輸出數(shù): 92
程序存儲器容量: 64KB(64K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 容量: 4K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd): 2.35 V ~ 2.75 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 16x10b; D/A 2x8b
振蕩器型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 112-LQFP
包裝: 托盤
產(chǎn)品目錄頁面: 731 (CN2011-ZH PDF)
配用: M68EVB912E128-ND - BOARD EVAL FOR MC9S12E128/64
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Appendix A Electrical Characteristics
MC9S12E128 Data Sheet, Rev. 1.07
598
Freescale Semiconductor
Table A-27. Expanded Bus Timing Characteristics (3.3V Range)
Conditions are VDDX=3.3V+/-10%, Junction Temperature -40C to +140C, CLOAD = 50pF
Num
C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P
Frequency of operation (E-clock)
fo
0
16.0
MHz
2
P
Cycle time
tcyc
62.5
ns
3
D
Pulse width, E low
PWEL
30
ns
4
D
Pulse width, E high1
1 Affected by clock stretch: add N x t
cyc where N=0,1,2 or 3, depending on the number of clock stretches.
PWEH
30
ns
5
D
Address delay time
tAD
16
ns
6
D
Address valid time to E rise (PWEL–tAD)tAV
16
ns
7
D
Muxed address hold time
tMAH
2—
ns
8
D
Address hold to data valid
tAHDS
7—
ns
9
D
Data hold to address
tDHA
2—
ns
10
D
Read data setup time
tDSR
15
ns
11
D
Read data hold time
tDHR
0—
ns
12
D
Write data delay time
tDDW
15
ns
13
D
Write data hold time
tDHW
2—
ns
14
D
Write data setup time1 (PWEH–tDDW)tDSW
15
ns
15
D
Address access time1 (tcyc–tAD–tDSR)tACCA
29
ns
16
D
E high access time1 (PWEH–tDSR)tACCE
15
ns
17
D
Non-multiplexed address delay time
tNAD
14
ns
18
D
Non-muxed address valid to E rise (PWEL–tNAD)tNAV
16
ns
19
D
Non-multiplexed address hold time
tNAH
2—
ns
20
D
Chip select delay time
tCSD
25
ns
21
D
Chip select access time1 (tcyc–tCSD–tDSR)tACCS
22.5
ns
22
D
Chip select hold time
tCSH
2—
ns
23
D
Chip select negated time
tCSN
8—
ns
24
D
Read/write delay time
tRWD
14
ns
25
D
Read/write valid time to E rise (PWEL–tRWD)tRWV
16
ns
26
D
Read/write hold time
tRWH
2—
ns
27
D
Low strobe delay time
tLSD
14
ns
28
D
Low strobe valid time to E rise (PWEL–tLSD)tLSV
16
ns
29
D
Low strobe hold time
tLSH
2—
ns
30
D
NOACC strobe delay time
tNOD
14
ns
31
D
NOACC valid time to E rise (PWEL–tNOD)tNOV
16
ns
32
D
NOACC hold time
tNOH
2—
ns
33
D
IPIPO[1:0] delay time
tP0D
2
14
ns
34
D
IPIPO[1:0] valid time to E rise (PWEL–tP0D)tP0V
16
ns
35
D
IPIPO[1:0] delay time1 (PWEH-tP1V)tP1D
2—
25
ns
36
D
IPIPO[1:0] valid time to E fall
tP1V
11
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC908GR60ACFAE IC MCU 60K FLASH 8MHZ 48-LQFP
MC908GZ32CFJE IC MCU 32K FLASH 8MHZ 32-LQFP
2-1374416-5 MT-RJ JACK, SL HSG, BROWN
2-1374416-4 MT-RJ JACK, SL HSG, AQUA
2-1374416-3 MT-RJ JACK, SL HSG, ROSE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S12E64DFUE 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 16MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12E64MFU 功能描述:IC MCU 64K FLASH 25MHZ 80-QFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器, 系列:HCS12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN,SCI,SPI 外圍設(shè)備:POR,PWM,溫度傳感器,WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB(20K x 16) 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
MC9S12E64MFUE 功能描述:16位微控制器 - MCU MORAY EEL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12E64MPV 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MC9S12E64MPVE 功能描述:16位微控制器 - MCU MORAY EEL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT