參數(shù)資料
型號： MC9S12XDT256CAA
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 120/1348頁
文件大小： 0K
描述： IC MCU 256K FLASH 80-QFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 84
系列： HCS12X
核心處理器： HCS12X
芯體尺寸： 16-位
速度： 80MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，I²C，IrDA，LIN，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 59
程序存儲器容量： 256KB（256K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 4K x 8
RAM 容量： 16K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.35 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 8x10b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 80-QFP
包裝： 托盤
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MC9S12XDP512 Data Sheet, Rev. 2.21
Freescale Semiconductor
1107
Chapter 27
512 Kbyte Flash Module (S12XFTX512K4V2)
27.1
Introduction
This document describes the FTX512K4 module that includes a 512K Kbyte Flash (nonvolatile) memory.
The Flash memory may be read as either bytes, aligned words or misaligned words. Read access time is
one bus cycle for bytes and aligned words, and two bus cycles for misaligned words.
The Flash memory is ideal for program and data storage for single-supply applications allowing for eld
reprogramming without requiring external voltage sources for program or erase. Program and erase
functions are controlled by a command driven interface. The Flash module supports both block erase and
sector erase. An erased bit reads 1 and a programmed bit reads 0. The high voltage required to program
and erase the Flash memory is generated internally. It is not possible to read from a Flash block while it is
being erased or programmed.
CAUTION
A Flash word must be in the erased state before being programmed.
Cumulative programming of bits within a Flash word is not allowed.
27.1.1
Glossary
Command Write Sequence — A three-step MCU instruction sequence to execute built-in algorithms
(including program and erase) on the Flash memory.
Multiple-Input Signature Register (MISR) — A Multiple-Input Signature Register is an output
response analyzer implemented using a linear feedback shift-register (LFSR). A 16-bit MISR is used to
compress data and generate a signature that is particular to the data read from a Flash block.
27.1.2
Features
512 Kbytes of Flash memory comprised of four 128 Kbyte blocks with each block divided into
128 sectors of 1024 bytes
Automated program and erase algorithm
Interrupts on Flash command completion, command buffer empty
Fast sector erase and word program operation
2-stage command pipeline for faster multi-word program times
Sector erase abort feature for critical interrupt response
Flexible protection scheme to prevent accidental program or erase
Single power supply for all Flash operations including program and erase
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC9S12E256CPVE IC MCU 256K FLASH 25MHZ 112-LQFP
390088-3 BLUE HSG WITH 30AU CONTACT
1-880584-2 SHUNT CONN. ASS'Y
1-880584-4 SHUNT CONN. ASS'Y
881545-3 SHUNT LP W/HANDLE 2 POS 50AU
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MC9S12XDT256CAAR 功能描述:16位微控制器 - MCU 9S12XDT256 TSMC3 GEN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12XDT256CAG 功能描述:16位微控制器 - MCU 512K FLASH HCS12X MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12XDT256CAL 功能描述:16位微控制器 - MCU 9S12XDT256TSMC3 GENERAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12XDT256CPV 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MC9S12XDT256MAA 功能描述:16位微控制器 - MCU 9S12XDT256 TSMC3 GENERAL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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