參數(shù)資料
型號： MC9S12XEQ512VAA
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 13/1324頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU 16BIT 512K FLASH 80-QFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 420
系列： HCS12X
核心處理器： HCS12X
芯體尺寸： 16-位
速度： 50MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，I²C，IrDA，SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 59
程序存儲器容量： 512KB（512K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 4K x 8
RAM 容量： 32K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.72 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 12x12b
振蕩器型： 外部
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 80-QFP
包裝： 托盤
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Chapter 26 384 KByte Flash Module (S12XFTM384K2V1)
MC9S12XE-Family Reference Manual Rev. 1.25
Freescale Semiconductor
1009
26.4.2.22 Partition D-Flash Command
The Partition D-Flash command allows the user to allocate sectors within the D-Flash block for
applications and a partition within the buffer RAM for EEPROM access. The D-Flash block consists of
128 sectors with 256 bytes per sector. The Erase All Blocks command must be run prior to launching the
Partition D-Flash command.
Upon clearing CCIF to launch the Partition D-Flash command, the following actions are taken to dene a
partition within the D-Flash block for direct access (DFPART) and a partition within the buffer RAM for
EEE use (ERPART):
Validate the DFPART and ERPART values provided:
— DFPART <= 128 (maximum number of 256 byte sectors in D-Flash block)
— ERPART <= 16 (maximum number of 256 byte sectors in buffer RAM)
— If ERPART > 0, 128 - DFPART >= 12 (minimum number of 256 byte sectors in the D-Flash
block required to support EEE)
— If ERPART > 0, ((128-DFPART)/ERPART) >= 8 (minimum ratio of D-Flash EEE space to
buffer RAM EEE space to support EEE)
Erase verify the D-Flash block and the EEE nonvolatile information register
Program DFPART to the EEE nonvolatile information register at global address 0x12_0000 (see
Table 26-76. EEPROM Emulation Query Command Error Handling
Register
Error Bit
Error Condition
FSTAT
ACCERR
Set if CCOBIX[2:0] != 000 at command launch
Set if a Load Data Field command sequence is currently active
Set if command not available in current mode (see Table 26-30)
FPVIOL
None
MGSTAT1
None
MGSTAT0
None
FERSTAT
EPVIOLIF
None
Table 26-77. Partition D-Flash Command FCCOB Requirements
CCOBIX[2:0]
FCCOB Parameters
000
0x20
Not required
001
Number of 256 byte sectors for the D-Flash user partition (DFPART)
010
Number of 256 byte sectors for buffer RAM EEE partition (ERPART)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MC9S12XEQ384VAG MCU 16BIT 384K FLASH 144-LQFP
MC9S12XDT256CAAR MCU 16BIT 256K FLASH 80-QFP
MC908JL16CPE IC MCU 16K FLASH 8MHZ 28-DIP
MC9S12P96CFT MCU 16BIT 96K FLASH 48-QFN
MC9S08QE128CLD IC MCU 8BIT 128K FLASH 44-LQFP
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參數(shù)描述
MC9S12XET256CAG 功能描述:16位微控制器 - MCU 16BIT 256K FLASH 16K RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12XET256MAA 功能描述:16位微控制器 - MCU 16BIT 256K FLASH 16K RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12XET256MAG 功能描述:16位微控制器 - MCU 16BIT 256K FLASH 16K RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12XET256MAL 功能描述:16位微控制器 - MCU 16BIT 256K FLASH 16K RAM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
MC9S12XET256VAL 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:MC9S12XET256VAL - Bulk
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