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參數(shù)資料
| 型號： | MCF51MM256VLK |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 10/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MCU 32BIT 256K FLASH 80LQFP |
| 標準包裝： | 480 |
| 系列： | MCF51MM |
| 核心處理器： | Coldfire V1 |
| 芯體尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 50MHz |
| 連通性： | CAN，EBI/EMI，I²C，SCI，SPI，USB OTG |
| 外圍設(shè)備： | LVD，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數(shù)： | 47 |
| 程序存儲器容量： | 256KB（256K x 8） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| RAM 容量： | 32K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： | A/D 8x16b，D/A 1x12b |
| 振蕩器型： | 外部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 105°C |
| 封裝/外殼： | 80-LQFP |
| 包裝： | 托盤 |
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Electrical Characteristics
Freescale Semiconductor
18
For most applications, PI/O Pint and can be neglected. An approximate relationship between PD and TJ
(if PI/O is neglected) is:
PD = K (TJ + 273C)
Eqn. 2
Solving Equation 1 and Equation 2 for K gives:
K = PD (TA + 273C) + JA (PD)2
Eqn. 3
where K is a constant pertaining to the particular part. K can be determined from Equation 3 by measuring
PD (at equilibrium) for a known TA. Using this value of K, the values of PD and TJ can be obtained by
3.4
ESD Protection Characteristics
Although damage from static discharge is much less common on these devices than on early CMOS
circuits, normal handling precautions should be used to avoid exposure to static discharge. Qualification
tests are performed to ensure that these devices can withstand exposure to reasonable levels of static
without suffering any permanent damage.
All ESD testing is in conformity with CDF-AEC-Q00 Stress Test Qualification for Automotive Grade
Integrated Circuits. (http://www.aecouncil.com/) This device was qualified to AEC-Q100 Rev E.
A device is considered to have failed if, after exposure to ESD pulses, the device no longer meets the
device specification requirements. Complete dc parametric and functional testing is performed per the
applicable device specification at room temperature followed by hot temperature, unless specified
otherwise in the device specification.
Table 7. ESD and Latch-up Test Conditions
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human Body
Series Resistance
R1
1500
Storage Capacitance
C
100
pF
Number of Pulse per pin
—
3
—
Machine
Series Resistance
R1
0
Storage Capacitance
C
200
pF
Number of Pulse per pin
—
3
—
Latch-up
Minimum input voltage limit
—
–2.5
V
Maximum input voltage limit
—
7.5
V
Table 8. ESD and Latch-Up Protection Characteristics
#
Rating
Symbol
Min
Max
Unit
C
1
Human Body Model (HBM)
VHBM
2000
—
V
T
2
Machine Model (MM)
VMM
200
—
V
T
MCF51MM256/128, Rev. 5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCF51MM256VLL | 功能描述:32位微控制器 - MCU 32BIT 256K FLASH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 處理器系列:TMS320F28x 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:90 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2.97 V to 3.63 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:LQFP-80 安裝風格:SMD/SMT |
| MCF51MM256VMB | 功能描述:32位微控制器 - MCU 32BIT 256K FLASH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 處理器系列:TMS320F28x 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:90 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2.97 V to 3.63 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:LQFP-80 安裝風格:SMD/SMT |
| MCF51MM256VMBJ | 功能描述:32位微控制器 - MCU 32BIT 256K FLASH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 處理器系列:TMS320F28x 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:90 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2.97 V to 3.63 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:LQFP-80 安裝風格:SMD/SMT |
| MCF51MM256VML | 功能描述:32位微控制器 - MCU 32BIT 256K FLASH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 處理器系列:TMS320F28x 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:90 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2.97 V to 3.63 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:LQFP-80 安裝風格:SMD/SMT |
| MCF51MM256VMLJ | 功能描述:32位微控制器 - MCU 32BIT 256K FLASH RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 處理器系列:TMS320F28x 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:90 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2.97 V to 3.63 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:LQFP-80 安裝風格:SMD/SMT |
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