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參數(shù)資料
| 型號： | MCF5208 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | Microprocessor Data Sheet |
| 中文描述： | 微處理器數(shù)據(jù)表 |
| 文件頁數(shù)： | 31/46頁 |
| 文件大小： | 936K |
| 代理商： | MCF5208 |
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Preliminary Electrical Characteristics
MCF5208 ColdFire
Microprocessor Data Sheet, Rev. 0.5
Preliminary
Freescale Semiconductor
31
DD5
Address, SD_CKE, SD_CAS, SD_RAS, SD_WE,
SD_CS[1:0] - Output Hold
t
SDCHACI
2.0
—
ns
DD6
Write Command to first DQS Latching Transition
t
CMDVDQ
1.25
SD_CLK
DD7
Data and Data Mask Output Setup (DQ-->DQS)
Relative to DQS (DDR Write Mode)
t
DQDMV
1.5
—
ns
5
6
DD8
Data and Data Mask Output Hold (DQS-->DQ)
Relative to DQS (DDR Write Mode)
t
DQDMI
1.0
—
ns
7
DD9
Input Data Skew Relative to DQS (Input Setup)
t
DVDQ
—
1
ns
8
DD10
Input Data Hold Relative to DQS.
t
DIDQ
0.25
×
SD_CLK
+ 0.5ns
—
ns
9
DD11
DQS falling edge from SDCLK rising (output hold time)
t
DQLSDCH
0.5
—
ns
DD12
DQS input read preamble width (t
RPRE
)
t
DQRPRE
0.9
1.1
SD_CLK
DD13
DQS input read postamble width (t
RPST
)
t
DQRPST
0.4
0.6
SD_CLK
DD14
DQS output write preamble width (t
WPRE
)
t
DQWPRE
0.25
—
SD_CLK
DD15
DQS output write postamble width (t
WPST
)
t
DQWPST
0.4
0.6
SD_CLK
NOTES:
1
The frequency of operation is either 2x or 4x the FB_CLK frequency of operation. FlexBus and SDRAM clock operate at the same
frequency as the internal bus clock.
2
SD_CLK is one SDRAM clock in (ns).
3
Pulse width high plus pulse width low cannot exceed min and max clock period.
4
Command output valid should be 1/2 the memory bus clock (SD_CLK) plus some minor adjustments for process, temperature, and
voltage variations.
5
This specification relates to the required input setup time of today’s DDR memories. The device’s output setup should be larger
than the input setup of the DDR memories. If it is not larger, then the input setup on the memory will be in violation.
MEM_DATA[31:24] is relative to MEM_DQS[3], MEM_DATA[23:16] is relative to MEM_DQS[2], MEM_DATA[15:8] is relative to
MEM_DQS[1], and MEM_[7:0] is relative MEM_DQS[0].
6
The first data beat will be valid before the first rising edge of DQS and after the DQS write preamble. The remaining data beats will
be valid for each subsequent DQS edge.
7
This specification relates to the required hold time of today’s DDR memories. MEM_DATA[31:24] is relative to MEM_DQS[3],
MEM_DATA[23:16] is relative to MEM_DQS[2], MEM_DATA[15:8] is relative to MEM_DQS[1], and MEM_[7:0] is relative
MEM_DQS[0].
8
Data input skew is derived from each DQS clock edge. It begins with a DQS transition and ends when the last data line becomes
valid. This input skew must include DDR memory output skew and system level board skew (due to routing or other factors).
9
Data input hold is derived from each DQS clock edge. It begins with a DQS transition and ends when the first data line becomes
invalid.
Table 11. DDR Timing Specifications (continued)
Num
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MCF52110 | ColdFire Microcontroller |
| MCF5211 | ColdFire Microcontroller |
| MCF52211 | ColdFire Microcontroller |
| MCF52221 | Microcontroller Data Sheet |
| MCF52223 | ColdFire Microcontroller |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MCF5208CVM166 | 功能描述:IC MCU 32-BIT 196-MAPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:MCF520x 標(biāo)準(zhǔn)包裝:330 系列:- 核心處理器:- 芯體尺寸:8/16-位 速度:40MHz 連通性:UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:- 程序存儲器類型:外部程序存儲器 EEPROM 大小:- RAM 容量:- 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4.5 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-BQFP 包裝:管件 |
| MCF5208CVM166J | 功能描述:32位微控制器 - MCU ColdFire Micro-Proc RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:C28x 處理器系列:TMS320F28x 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit 最大時鐘頻率:90 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:26 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2.97 V to 3.63 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:LQFP-80 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
| MCF5208EC | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:ColdFire㈢ Microprocessor |
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