參數(shù)資料
型號： MCHC908GR8AVFAE
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 196/260頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC MCU 8K FLASH 8MHZ 32-LQFP
標準包裝： 1,250
系列： HC08
核心處理器： HC08
芯體尺寸： 8-位
速度： 8MHz
連通性： SCI，SPI
外圍設(shè)備： LVD，POR，PWM
輸入/輸出數(shù)： 21
程序存儲器容量： 7.5KB（7.5K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 384 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 2.7 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 6x8b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 32-LQFP
包裝： 托盤
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Memory
MC68HC908GR8A MC68HC908GR4A Data Sheet, Rev. 5
40
Freescale Semiconductor
2.6.3 FLASH Page Erase Operation
Use this step-by-step procedure to erase a page (64 bytes) of FLASH memory. A page consists of 64
consecutive bytes starting from addresses $XX00, $XX40, $XX80, or $XXC0. The 36-byte user interrupt
vectors area also forms a page. Any FLASH memory page can be erased alone.
1.
Set the ERASE bit, and clear the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH location within the page address range of the block to be erased.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 μs)
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tErase (minimum 1 ms or 4 ms)
7.
Clear the ERASE bit.
8.
Wait for a time, tNVH (minimum 5 μs)
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After a time, tRCV (typical 1 μs), the memory can be accessed in read mode again.
NOTE
Programming and erasing of FLASH locations cannot be performed by
code being executed from FLASH memory. While these operations must
be performed in the order shown, other unrelated operations may occur
between the steps.
In applications that need more than 1000 program/erase cycles, use the 4-ms page erase specification
to get improved long-term reliability. Any application can use this 4-ms page erase specification.
However, in applications where a FLASH location will be erased and reprogrammed less than 1000 times,
and speed is important, use the 1-ms page erase specification to get a shorter cycle time.
2.6.4 FLASH Mass Erase Operation
Use this step-by-step procedure to erase entire FLASH memory:
1.
Set both the ERASE bit, and the MASS bit in the FLASH control register.
2.
Read the FLASH block protect register.
3.
Write any data to any FLASH address(1) within the FLASH memory address range.
4.
Wait for a time, tNVS (minimum 10 μs)
5.
Set the HVEN bit.
6.
Wait for a time, tMErase (minimum 4 ms)
7.
Clear the ERASE and MASS bits.
NOTE
Mass erase is disabled whenever any block is protected (FLBPR does not
equal $FF).
8.
Wait for a time, tNVHL (minimum 100 μs)
9.
Clear the HVEN bit.
10.
After a time, tRCV (typical 1 μs), the memory can be accessed in read mode again.
1. When in monitor mode, with security sequence failed (see 18.3.2 Security), write to the FLASH block protect register instead
of any FLASH address.
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MCHC908GR8MFAE 功能描述:8位微控制器 -MCU 8BIT MCU 7.5K FLASH RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
MCHC908GR8VFAE 功能描述:IC MCU 8K FLASH 8MHZ 32-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HC08 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設(shè)備:- 輸入/輸出數(shù):32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285
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