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參數(shù)資料
| 型號： | MCP4152T-103E/MS |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數(shù)： | 44/59頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC POT DGTL SNGL 10K RHEO 8MSOP |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 接片： | 257 |
| 電阻（歐姆）： | 10k |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 溫度系數(shù)： | 標準值 150 ppm/°C |
| 存儲器類型： | 易失 |
| 接口： | 4 線 SPI（芯片選擇） |
| 電源電壓： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-MSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
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Micrel, Inc.
KSZ8051MNL/RNL
July 2010
49
M9999-070910-1.0
MII Transmit Timing (100Base-TX)
Figure 12. MII Transmit Timing (100Base-TX)
Timing Parameter
Description
Min
Typ
Max
Unit
tP
TXC period
40
ns
tWL
TXC pulse width low
20
ns
tWH
TXC pulse width high
20
ns
tSU1
TXD[3:0] setup to rising edge of TXC
10
ns
tSU2
TXEN setup to rising edge of TXC
10
ns
tHD1
TXD[3:0] hold from rising edge of TXC
0
ns
tHD2
TXEN hold from rising edge of TXC
0
ns
tCRS1
TXEN high to CRS asserted latency
35
ns
tCRS2
TXEN low to CRS de-asserted latency
36
ns
Table 13. MII Transmit Timing (100Base-TX) Parameters
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VE-BN3-MY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 50W |
| VE-BN2-MY-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W |
| VE-BN2-MY-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W |
| VE-2NR-MY-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W |
| VI-25D-MW | CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MCP4152T-103I/MF | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/ML | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/MS | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
| MCP4152T-103I/SL | 制造商:MICROCHIP 制造商全稱:Microchip Technology 功能描述:7/8-Bit Single/Dual SPI Digital POT with Volatile Memory |
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