FIGURE 1-2: SPI Timing Waveform (Mode = 11). TABLE 1-2: SP" />
參數(shù)資料
型號(hào)： MCP4331-103E/ML
廠商： Microchip Technology
文件頁(yè)數(shù)： 5/35頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC DGTL POT QUAD 10K 20QFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 91
接片： 129
電阻（歐姆）： 10k
電路數(shù)： 4
溫度系數(shù)： 標(biāo)準(zhǔn)值 150 ppm/°C
存儲(chǔ)器類型： 易失
接口： 4 線 SPI（芯片選擇）
電源電壓： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-VFQFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-QFN 裸露焊盤(pán)（4x4）
包裝： 管件
2010 Microchip Technology Inc.
DS22242A-page 13
MCP433X/435X
FIGURE 1-2:
SPI Timing Waveform (Mode = 11).
TABLE 1-2:
SPI REQUIREMENTS (MODE = 11)
#
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—10
MHz VDD = 2.7V to 5.5V
—1
MHz VDD = 1.8V to 2.7V
70
CS Active (VIL or VIHH) to SCK input
TcsA2scH
60
—
ns
71
SCK input high time
TscH
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
72
SCK input low time
TscL
45
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
73
Setup time of SDI input to SCK
edge
TDIV2scH
10
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
20
—
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
74
Hold time of SDI input from SCK
edge
TscH2DIL20
—
ns
77
CS Inactive (VIH) to SDO output high-impedance TcsH2DOZ
—
50
ns
80
SDO data output valid after SCK
edge
TscL2DOV
—
70
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
170
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
83
CS Inactive (VIH) after SCK edge
TscH2csI
100
—
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
1ms
VDD = 1.8V to 2.7V
84
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VIL or VIHH)
TcsA2csI
50
—
ns
Note 1:
This specification by design.
CS
SCK
SDO
SDI
70
71
72
73
74
75, 76
77
78
79
80
SDI
MSb
LSb
BIT6 - - - - - -1
MSb IN
BIT6 - - - -1
LSb IN
83
84
VIH
VIL
VIHH
VIH
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PDF描述
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參數(shù)描述
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