FIGURE 1-2: SPI Timing Waveform (Mode = 11). TABLE 1-2: SP" />
參數(shù)資料
型號: MCP4332-503E/ST
廠商: Microchip Technology
文件頁數(shù): 5/35頁
文件大小: 0K
描述: IC DGTL POT QUAD 50K 14TSSOP
標準包裝: 96
接片: 129
電阻(歐姆): 50k
電路數(shù): 4
溫度系數(shù): 標準值 150 ppm/°C
存儲器類型: 易失
接口: 4 線 SPI(芯片選擇)
電源電壓: 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商設(shè)備封裝: 14-TSSOP
包裝: 管件
2010 Microchip Technology Inc.
DS22242A-page 13
MCP433X/435X
FIGURE 1-2:
SPI Timing Waveform (Mode = 11).
TABLE 1-2:
SPI REQUIREMENTS (MODE = 11)
#
Characteristic
Symbol
Min
Max Units
Conditions
SCK Input Frequency
FSCK
—10
MHz VDD = 2.7V to 5.5V
—1
MHz VDD = 1.8V to 2.7V
70
CS Active (VIL or VIHH) to SCK input
TcsA2scH
60
ns
71
SCK input high time
TscH
45
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
72
SCK input low time
TscL
45
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
500
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
73
Setup time of SDI input to SCK
edge
TDIV2scH
10
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
20
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
74
Hold time of SDI input from SCK
edge
TscH2DIL20
ns
77
CS Inactive (VIH) to SDO output high-impedance TcsH2DOZ
50
ns
80
SDO data output valid after SCK
edge
TscL2DOV
70
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
170
ns
VDD = 1.8V to 2.7V
83
CS Inactive (VIH) after SCK edge
TscH2csI
100
ns
VDD = 2.7V to 5.5V
1ms
VDD = 1.8V to 2.7V
84
Hold time of CS Inactive (VIH) to
CS Active (VIL or VIHH)
TcsA2csI
50
ns
Note 1:
This specification by design.
CS
SCK
SDO
SDI
70
71
72
73
74
75, 76
77
78
79
80
SDI
MSb
LSb
BIT6 - - - - - -1
MSb IN
BIT6 - - - -1
LSb IN
83
84
VIH
VIL
VIHH
VIH
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PDF描述
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