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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MCP606T-I/OT |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/42頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP 2.5V R-R SOT23-5 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 放大器類(lèi)型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 輸出類(lèi)型： | 滿(mǎn)擺幅 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 0.08 V/µs |
| 增益帶寬積： | 155kHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 1pA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 250µV |
| 電流 - 電源： | 18.7µA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 17mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 2.5 V ~ 6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SC-74A，SOT-753 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-23-5 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 其它名稱(chēng)： | MCP606TI/OT |
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MCP606/7/8/9
DS11177F-page 4
2009 Microchip Technology Inc.
AC CHARACTERISTICS
MCP608 CHIP SELECT CHARACTERISTICS
FIGURE 1-1:
Timing Diagram for the CS
Pin on the MCP608.
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, V
DD = +2.5V to +5.5V, VSS =GND, TA =+25°C, VCM =VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, RL = 100 kΩ to VL and CL = 60 pF, and CS is tied low (refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
AC Response
Gain Bandwidth Product
GBWP
—
155
—
kHz
Phase Margin
PM
—
62
—
°
G = +1 V/V
Slew Rate
SR
—
0.08
—
V/s
Noise
Input Noise Voltage
Eni
—2.8
—
VP-P
f = 0.1 Hz to 10 Hz
Input Noise Voltage Density
eni
—38
—
nV/
√Hz f = 1 kHz
Input Noise Current Density
ini
—3
—
fA/
√Hz
f = 1 kHz
Electrical Characteristics: Unless otherwise indicated, V
DD = +2.5V to +5.5V, VSS =GND, TA =+25°C, VCM =VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2, VL = VDD/2, RL = 100 kΩ to VL and CL = 60 pF, and CS is tied low (refer to Figure 1-2 and Figure 1-3).
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
CS Low Specifications
CS Logic Threshold, Low
VIL
VSS
—0.2 VDD
V
CS Input Current, Low
ICSL
-0.1
0.01
—
A
CS = 0.2VDD
CS High Specifications
CS Logic Threshold, High
VIH
0.8 VDD
—VDD
V
CS Input Current, High
ICSH
—0.01
0.1
A
CS = VDD
CS Input High, GND Current
ISS
-2
-0.05
—
A
CS = VDD
Amplifier Output Leakage, CS High
IO(LEAK)
—10
—
nA
CS = VDD
CS Dynamic Specifications
CS Low to Amplifier Output Turn-on Time
tON
—
9
100
s
CS = 0.2VDD to VOUT = 0.9 VDD/2,
G = +1 V/V, RL = 1 kΩ to VSS
CS High to Amplifier Output Hi-Z
tOFF
—0.1
—
s
CS = 0.8VDD to VOUT = 0.1 VDD/2,
G = +1 V/V, RL = 1 kΩ to VSS
CS Hysteresis
VHYST
—0.6
—
V
VDD = 5.0V
CS
VOUT
ISS
ICS
VIL
VIH
tON
tOFF
-50 nA
-18.7 A
-50 nA
Hi-Z
(typical)
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