Note: Unless otherwise indicated, TA
參數(shù)資料
型號(hào)： MCP6N11T-002E/SN
廠商： Microchip Technology
文件頁數(shù)： 14/50頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP INSTR RRIO 1MHZ 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 3,300
放大器類型： 儀表
電路數(shù)： 1
輸出類型： 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率： 9 V/µs
增益帶寬積： 1MHz
電流 - 輸入偏壓： 10pA
電壓 - 輸入偏移： 2000µV
電流 - 電源： 800µA
電流 - 輸出 / 通道： 30mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 1.8 V ~ 5.5 V
工作溫度： -40°C ~ 125°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 帶卷 (TR)
2011 Microchip Technology Inc.
DS25073A-page 21
MCP6N11
Note: Unless otherwise indicated, TA = +25°C, VDD = 1.8V to 5.5V, VSS = GND, EN/CAL =VDD, VCM = VDD/2, VDM =0V,
VREF =VDD/2, VL =VDD/2, RL = 10 kΩ to VL, CL = 60 pF and GDM = GMIN; see Figure 1-6 and Figure 1-7.
2.4
Time Response
FIGURE 2-43:
Small Signal Step
Response.
FIGURE 2-44:
Large Signal Step
Response.
FIGURE 2-45:
Slew Rate vs. Ambient
Temperature.
FIGURE 2-46:
Maximum Output Voltage
Swing vs. Frequency.
FIGURE 2-47:
Common Mode Input
Overdrive Recovery Time vs. Normalized Gain.
FIGURE 2-48:
Differential Input Overdrive
Recovery Time vs. Normalized Gain.
)
V
DD = 5.5V
G
DM = GMIN
m
V/div
)
R
F + RG = 10 k
e
(10
m
G
MIN =1to10
Vo
lt
a
g
G
MIN = 1 to 10
G
MIN = 100
O
utput
O
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Time (μs)
5.0
5.5
)
V
DD = 5.5V
G
DM = GMIN
4.0
4.5
m
V/div
)
DM
MIN
R
F + RG = 10 k
3.0
3.5
e
(10
m
2.0
2.5
V
oltag
e
G
MIN = 1 to 10
G
MIN = 100
1.0
1.5
O
utput
V
0.0
0.5
O
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
Time (μs)
9
10
7
8
s
)
5
6
7
te
(V/μ
s
G
1t 10
V
=55V
4
5
e
w
Ra
t
G
MIN = 1to 10
G
MIN = 100
V
DD =5.5V
V
DD = 1.8V
2
3
Sl
e
0
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature (°C)
10
ing
ge
Sw
V
DD = 5.5V
1
tV
o
lta
-P
)
V
DD = 1.8V
1
Outpu
(V
P
G
MIN = 1 to 10
G
MIN = 100
x
imum
0
Ma
x
0
1.E+4
1.E+5
1.E+6
Frequency (Hz)
10k
100k
1M
1000
g
e
s
)
G
DMVDM = ±1V
100
Vo
lt
a
g
t IRC
(μ
s
V
DD = 5.5V
100
n
Mode
o
very;
V
DD = 1.8V
DD
10
o
mmo
n
v
e
Rec
o
10
p
ut
C
o
v
erdri
v
G
MIN = 100
1
In
p
O
v
G
MIN = 1
G
MIN = 10
1
10
100
Normalized Gain; G
DM/GMIN
1000
a
ge
s
)
100
e
Vo
lt
a
t IRD
(μ
s
V
DD = 5.5V
100
a
lMod
e
o
very;
V
DD = 1.8V
V
DD
5.5V
10
e
renti
a
v
e
Rec
o
10
p
ut
Diff
e
v
erdri
v
G
MIN = 100
1
In
p
O
v
G
MIN = 1
G
MIN = 10
1
10
100
Normalized Gain; G
DM/GMIN
相關(guān)PDF資料
PDF描述
P6KE400C-HF TVS 600W 400V BIDIRECT DO-15
TSM-108-01-L-DV-M CONN HEADER 16POS .100" DBL SMD
MCP6N11T-001E/SN IC AMP INSTR RRIO 500KHZ 8SOIC
PCN13-100S-2.54DSA DIN CONN RCPT 100POS 2 ROW STR
75844-802-72 HDR STR DR .100 GP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MCP6N11T-005E/MNY 功能描述:儀表放大器 Sngl Instrumentation Amp mCal E temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量: 輸入補(bǔ)償電壓:150 V 可用增益調(diào)整: 最大輸入電阻:10 kOhms 共模抑制比（最小值）:88 dB 工作電源電壓:2.7 V to 36 V 電源電流:200 uA 最大工作溫度:+ 125 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:MSOP-8 封裝:Bulk
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